Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

53
M
V
и
X
V
− заряженные вакансии в подрешетках М и X (
Ga
V
,
As
V
);
D
+
и А
-
− донорный и акцепторный ионы (например, Р
+
и В
-
в Si);
[M
I
] и [X
I
] − концентрация междоузельных атомов М и X (например,
[Ga
I
] и [As
I
]);
[V
M
] и [V
X
] − концентрация вакансий в подрешетках М и X (например,
[V
Ga
] и [V
AS
]);
[D] и [А] − концентрация донорных и акцепторных атомов (например,
[Р] и [В] в Si);
[M
I
] и [Х
I
] − концентрация ионизованных междоузельных атомов М
и X (например, [
I
Ga
] и [
I
As
]);
[
M
V
] и [
X
V
] − концентрация заряженных вакансий в подрешетках М
и X (например, [
Ga
V
] и [
As
V
]
);
[D
+
] и [А
-
] − концентрация донорных и акцепторных ионов (например,
[Р
+
] и [В
-
] в Si);
[е
-
] n − концентрация электронов;
[е
+
] р − концентрация дырок.
Междоузельные атомы и вакансии в нейтральном и заряженном
состояниях, примесные атомы и ионы (донорные, акцепторные,
амфотерные) совместно с электронами и дырками рассматриваются
как компоненты квазихимических реакций. Эти реакции, как и
обычные химические реакции, в равновесном состоянии подчиняются
закону действия масс и могут быть охарактеризованы константами
равновесия, зависящими от температуры.
Процессы ионизации донорного атома D и акцепторного атома А
с образованием неподвижных ионов D
+
и А
-
и подвижных электрона е
-
и дырки е
+
записываются в форме следующих квазихимических
уравнений:
eDD
и
. (3.1)
Применение закона действия масс к уравнениям (3.1) дает
следующий результат
D
nD
TK
D
)(
и
A
pA
TK
A
)(
, (3.2)
где K
D
(Т) и K
A
(T) − константы равновесия процессов ионизации
донора и акцептора.
В полупроводниковых соединениях типа MX собственные
дефекты могут находиться в заряженном состоянии и выполнять
функции донора или акцептора. Это связано с тем, что химическая
связь между атомами М и X в кристаллической решетке MX не

Страницы