Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 63 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

В определенных условиях такая пленка расцвечивается в различные цвета в зави-

симости от терморельефа.

Локальные области повышения температуры, возникающие в трещинах, порах и

других дефектных участках проводникового или резистивного слоев, можно вы-

явить, когда диагносцируемая ИС без корпуса и во включенном состоянии погру-

жена в изоляционную жидкость с низкой температурой кипения, например, во

фреон. Дефектные участки являются очагами образования пузырьков.

Регистрация аномалий электростатического поля позволяет установить дефекты

при пооперационном контроле. Например, в производстве полупроводниковых ИС

после операции оксидирования базового кристалла кремния часто наблюдаются

точечные дефекты в виде микроканалов в Si0

. Для выявления микроканалов при-

меняют контроль электростатического поля с помощью электрографического ме-

тода (рис. 7.3).

Рис. 7.3. Определение микроканалов в слое SiO

на базовом кристалле кремния

электрографическим методом. Показана первая фаза – пузырьковая индикация:

–

коллоидный раствор; 2

–

пузырьки водорода; 3

–

слой SiO

–

монокристалл кремния

В ванну с коллоидным раствором помещают испытуемую пластину слоем Si0

вверх, подключая минус батареи к обратной стороне пластины в оголенном от

окисла участке. Затем опускают медный анод и с помощью микроскопа наблюдают

за локализацией пузырьков водорода, которые указывают на трещины. Если уве-

личить приложенный потенциал, то начнется процесс электрофореза и оседающие

коллоидные частицы четко обрисуют дефектные зоны. Это дает возможность фо-

тографически регистрировать результаты испытания. Если выборочный контроль

покажет, что плотность микроканалов на единице площади слишком велика, то не-