ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
145
нально температуре
,
1
~
T
λ
а потому и
.
1
~
T
σ
По квантовым представлениям длина свободного пробега опреде-
ляется не постоянной кристаллической решетки, а эффективностью рас-
сеяния электронов дефектами кристаллической решетки (фононами,
примесными атомами, диполонами и др. дефектами решетки). По кван-
товым представлениям идеальная кристаллическая решетка не рассеи-
вает электронные волны вероятности, в этом происходит проявление
корпускулярно-волнового дуализма в свойствах электронов.
Число же
фононов растет пропорционально температуре, следовательно длина
свободного пробега обратно пропорциональна температуре. При низ-
ких температурах основной вклад в рассеяние электронных волн веро-
ятности вносят примесные дефекты кристаллической решетки.
Классическая теория энергопроводности строится по тому же об-
разцу, что и приведенное выше построение классической теории элект-
ропроводности. Если в процессе электропроводности
происходит пере-
нос электрического заряда при наличии градиента потенциала (при на-
личии напряженности внешнего поля), то энергоперенос возникает при
наличии градиента температуры. Поэтому во всех предыдущих выклад-
ках при построении теории энергопереноса следует произвести замену
характеристик электрического заряда (величину заряда и среднюю ско-
рость направленного движения) на соответственно кинетическую энер-
гию
и среднюю скорость ее переноса..
Принцип детального равновесия
В 1917 году Эйнштейн построил теорию взаимосвязи спонтанных
и вынужденных переходов в возбужденных атомных системах. Дадим
краткое изложение рассуждений Эйнштейна.
Пусть имеется система частиц, находящихся в двух возможных
состояниях i и k. Определим вероятности переходов между этими со-
стояниями
ik
w (переход из i в k,
ki
w - вероятность обратного перехо-
145 нально температуре 1 λ~ , T а потому и 1 σ ~ . T По квантовым представлениям длина свободного пробега опреде- ляется не постоянной кристаллической решетки, а эффективностью рас- сеяния электронов дефектами кристаллической решетки (фононами, примесными атомами, диполонами и др. дефектами решетки). По кван- товым представлениям идеальная кристаллическая решетка не рассеи- вает электронные волны вероятности, в этом происходит проявление корпускулярно-волнового дуализма в свойствах электронов. Число же фононов растет пропорционально температуре, следовательно длина свободного пробега обратно пропорциональна температуре. При низ- ких температурах основной вклад в рассеяние электронных волн веро- ятности вносят примесные дефекты кристаллической решетки. Классическая теория энергопроводности строится по тому же об- разцу, что и приведенное выше построение классической теории элект- ропроводности. Если в процессе электропроводности происходит пере- нос электрического заряда при наличии градиента потенциала (при на- личии напряженности внешнего поля), то энергоперенос возникает при наличии градиента температуры. Поэтому во всех предыдущих выклад- ках при построении теории энергопереноса следует произвести замену характеристик электрического заряда (величину заряда и среднюю ско- рость направленного движения) на соответственно кинетическую энер- гию и среднюю скорость ее переноса.. Принцип детального равновесия В 1917 году Эйнштейн построил теорию взаимосвязи спонтанных и вынужденных переходов в возбужденных атомных системах. Дадим краткое изложение рассуждений Эйнштейна. Пусть имеется система частиц, находящихся в двух возможных состояниях i и k. Определим вероятности переходов между этими со- стояниями wik (переход из i в k, wki - вероятность обратного перехо-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 143
- 144
- 145
- 146
- 147
- …
- следующая ›
- последняя »