Термодинамика и статистическая физика. Розман Г.А. - 145 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

145
нально температуре
,
1
~
T
λ
а потому и
.
1
~
T
σ
По квантовым представлениям длина свободного пробега опреде-
ляется не постоянной кристаллической решетки, а эффективностью рас-
сеяния электронов дефектами кристаллической решетки (фононами,
примесными атомами, диполонами и др. дефектами решетки). По кван-
товым представлениям идеальная кристаллическая решетка не рассеи-
вает электронные волны вероятности, в этом происходит проявление
корпускулярно-волнового дуализма в свойствах электронов.
Число же
фононов растет пропорционально температуре, следовательно длина
свободного пробега обратно пропорциональна температуре. При низ-
ких температурах основной вклад в рассеяние электронных волн веро-
ятности вносят примесные дефекты кристаллической решетки.
Классическая теория энергопроводности строится по тому же об-
разцу, что и приведенное выше построение классической теории элект-
ропроводности. Если в процессе электропроводности
происходит пере-
нос электрического заряда при наличии градиента потенциала (при на-
личии напряженности внешнего поля), то энергоперенос возникает при
наличии градиента температуры. Поэтому во всех предыдущих выклад-
ках при построении теории энергопереноса следует произвести замену
характеристик электрического заряда (величину заряда и среднюю ско-
рость направленного движения) на соответственно кинетическую энер-
гию
и среднюю скорость ее переноса..
Принцип детального равновесия
В 1917 году Эйнштейн построил теорию взаимосвязи спонтанных
и вынужденных переходов в возбужденных атомных системах. Дадим
краткое изложение рассуждений Эйнштейна.
Пусть имеется система частиц, находящихся в двух возможных
состояниях i и k. Определим вероятности переходов между этими со-
стояниями
ik
w (переход из i в k,
ki
w - вероятность обратного перехо-
                                                                      145
нально температуре
                                         1
                                   λ~      ,
                                         T
а потому и
                                   1
                                   σ ~
                                     .
                                   T
     По квантовым представлениям длина свободного пробега опреде-
ляется не постоянной кристаллической решетки, а эффективностью рас-
сеяния электронов дефектами кристаллической решетки (фононами,
примесными атомами, диполонами и др. дефектами решетки). По кван-
товым представлениям идеальная кристаллическая решетка не рассеи-
вает электронные волны вероятности, в этом происходит проявление
корпускулярно-волнового дуализма в свойствах электронов. Число же
фононов растет пропорционально температуре, следовательно длина
свободного пробега обратно пропорциональна температуре. При низ-
ких температурах основной вклад в рассеяние электронных волн веро-
ятности вносят примесные дефекты кристаллической решетки.
     Классическая теория энергопроводности строится по тому же об-
разцу, что и приведенное выше построение классической теории элект-
ропроводности. Если в процессе электропроводности происходит пере-
нос электрического заряда при наличии градиента потенциала (при на-
личии напряженности внешнего поля), то энергоперенос возникает при
наличии градиента температуры. Поэтому во всех предыдущих выклад-
ках при построении теории энергопереноса следует произвести замену
характеристик электрического заряда (величину заряда и среднюю ско-
рость направленного движения) на соответственно кинетическую энер-
гию и среднюю скорость ее переноса..


                Принцип детального равновесия

     В 1917 году Эйнштейн построил теорию взаимосвязи спонтанных
и вынужденных переходов в возбужденных атомных системах. Дадим
краткое изложение рассуждений Эйнштейна.
     Пусть имеется система частиц, находящихся в двух возможных
состояниях i и k. Определим вероятности переходов между этими со-
стояниями    wik (переход из i в    k, wki - вероятность обратного перехо-