Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 29 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

С зазором Проекционная Точечное Профильное

Стационарная Пошаговая Однолучевое Многолучевое

Рис. 24. Схема классификации методов переноса рисунка

Масочные методы, в свою очередь, можно разделить на контактные и

бесконтактные (см. рис. 24). Контактная печать является исторически первым

методом формирования рисунка на полупроводниковых пластинах. При ис-

пользовании этого метода шаблон, содержащий требуемый рисунок, наклады-

вается на покрытую фоторезистом пластину и экспонируется фотонами в

ультрафиолетовом спектре, в результате чего на резисте образуются засвечен-

ные и незасвеченные области. В процессе последующих технологических

операций осуществляется удаление засвеченных или незасвеченных участков

фоторезиста в зависимости от типа резиста (позитивный или негативный).

Разрешающая способность этого метода составляет 1 - 2 мкм и ограничивает-

ся дифракционными эффектами. При использовании когерентного излучения

(лазеров) улучшается контрастность и четкость изображения вследствие коге-

рентности эффектов дифракции.

Основной недостаток контактной печати состоит в быстром изнашивании

фотошаблона при его многократном использовании. Плотное соприкоснове-

ние фотошаблона с подложкой приводит к возникновению дефектов на по-

верхностях как шаблона, так и резиста. Допустимое число экспозиций зависит

от сложности шаблона, определяемой степенью интеграции, а также прочно-

сти его поверхности.

Эмульсионные фотошаблоны для экспонирования БИС обычно исполь-

зуются не более 10 раз. Шаблоны, покрытые хромом, оксидом железа или

другими металлами, допускают периодическую очистку, отличаются гораздо

большей прочностью покрытия и, вследствие этого, могут использоваться

более 100 раз.

Разрешающая способность метода контактной печати может быть повы-

шена, если для экспонирования резиста использовать более коротковолновое

излучение, так как при этом уменьшается влияние дифракции. Глубокий ульт-

рафиолет с длиной волны 200 - 260 нм позволяет получать минимальные раз-

меры элементов рисунка до 0,5 мкм. Однако при этом существенно усложня-

ются конструкции проекционных установок, так как для столь коротковолно-