Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

32
вого излучения вместо линз приходится использовать систему фокусирующих
зеркал.
Необходимость в бесконтактной печати возникла в связи с требованием
уменьшения плотности дефектов при формировании рисунка, соответствую-
щего БИС более высокой степени интеграции. Пространственное разделение
фотошаблона и пластины существенно уменьшает количество дефектов, воз-
никающих из-за контакта.
При этом бесконтактные методы печати можно, в свою очередь, разде-
лить на печать с зазором и проекционную печать (см. рис. 24).
Печать с зазором между фотошаблоном и поверхностью резиста, значи-
тельно снижая плотность дефектов, привела к снижению разрешающей спо-
собности вследствие более сильного проявления эффекта дифракции и появ-
ления полутеней. При использовании ультрафиолетового излучения проектые
нормы в рамках данного метода у величились до 7 мкм. Поэтому печать с за-
зором нашла широкое применение лишь применительно к более коротковол-
новому излучению в рентгеновском спектре, длина волны которого составляла
0,4 - 5 нм [3-5].
Метод проекционной печати заключается в проецировании изображения
фотошаблона на пластину, покрытую резистом, при помощи системы линз с
высокой разрешающей способностью. В этом случае шаблон может использо-
ваться неограниченное число раз. Поэтому экономически оправдано примене-
ние очень высококачественных шаблонов. Глубина резкости оптической сис-
темы должна превышать ±10 мкм, то есть диапазон, в котором обычно лежат
отклонения поверхности полупроводниковых пластин от идеальной плоско-
сти. Это ограничивает апертуру линз и, следовательно, разрешающую способ-
ность метода. Характеристики оптических систем, используемых в проекци-
онной печати, ограничиваются главным образом явлением дифракции. Обыч-
ные проекционные системы позволяют получать разрешение до 5 мкм [3].
В качестве источников света в проекционных системах получили широ-
кое распространение дуговые ртутные лампы со спектром 330 - 400 нм, дуго-
вые ксеноново-ртутные лампы и спектральные дейтериевые лампы для прове-
дения литографии в глубокой ультрафиолетовой области.
При использовании полупроводниковых пластин сравнительно неболь-
шого диаметра (менее 80 мм) при проекционной печати применялись стацио-
нарные проекционные системы, то есть системы, позволяющие одновременно
экспонировать всю поверхность пластины (см. рис. 24). При увеличении диа-
метра пластин использование стационарных систем стало нецелесообразным
из-за недопустимо больших искажений.
В пошаговых системах (см. рис. 19, 24) изображение фотошаблона про-
ецируется на определенную часть пластины площадью около 1 см
2
, после чего

Страницы