Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 32 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Для специализированных СБИС с нерегулярной структурой такой подход

эффективен. Но для формирования рисунков, соответствующих СБИС с регу-

лярной структурой (например, ОЗУ, ПЗУ, ПЗС), более производительным

является профильное сканирование, когда отдельные элементы рисунка фор -

мируются в результате однократной экспозиции профилированным посредст-

вом специальных диафрагм лучом, что существенно сокращает врем я форми-

рования рисунка (см. рис. 17, 24). Однако при ограничении диафрагмами

плотность тока в луче снижается, что приводит к увеличению времени экспо-

нирования элемента рисунка и не позволяет получить общий выигрыш во

времени, пропорциональный сокращению числа экспозиций.

Для дальнейшего сокращения времени экспонирования и упрощения

программного обеспечения управляющей ЭВМ для формирования рисунков

регулярных структур наряду с традиционными однолучевыми применяются

многолучевые профильные проекционные системы (см. рис. 24), в которых

используется набор линз-диафрагм, расположенных в одной плоскости, для

получения многократного изображения рисунка маски. Линзы-диафрагмы,

представляющие собой отверстия в плоском электроде, являются простейши-

ми элементами для мультипликации изображения.

2.7. Методы выращивания кристаллов

Монокристаллические слитки кремния получают обычно методом Чох-

ральского или методом зонной плавки (рис. 26) [3].

В рамках метода Чохральского стержень с затравкой в виде монокри-

сталла кремния после соприкосновения с расплавом кремния медленно под-

нимают с одновременным вращением. При этом вслед за затравкой вытягива-

ется нарастающий и застывающий слиток.

Рис. 25. Способы векторного сканирования