Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. Рындин Е.А - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

75
;
b
nn
n
n
i
j1,j2,
j
+
=»
(60)
.
j
,
j
=j,
c
pp
p
p
k2k1
i
j1,j2,
j
+
=»
(61)
Для определения матриц поправочных коэффициентов b
i
, c
i
используется ус-
ловие равенства нулю плотностей токов во всех внешних выводах полупроводнико-
вой структуры при нулевых напряжениях между выводами. Например, для бипо-
лярной транзисторной структуры данное условие можно записать в виде
j
Э
= j
Б
= j
К
= 0 при U
БЭ
= U
БК
= 0, (62)
где j
Э
, j
Б
, j
К
- матрицы плотностей токов эмиттерного, базового и коллекторного
контактов соответственно; U
БЭ
, U
БК
- напряжения “база-эмиттер” и “база-
коллектор”.
Учитывая выражения (52) - (54), (57), (60) и (61), условие (62) может быть
представлено в виде
0.
UU
при
;
j
,
j
=j
0;=
xc
pp
x
pp
0;=
xb
nn
x
nn
Б
К
Б
Э
k2k1
1
j1,j2,
j
j1,j2,
1
j1,j2,
1
j1,j2,
j
j1,j2,
1
j1,j2,
==
D
×
+
+
D
D
×
+
-
D
--
-
-
jj
jj
(63)
Из (63) поправочные коэффициенты определяются следующим образом:
()
()
.
j
,
j
j
pp
pp
c
nn
nn
b
k2k1
j1,j2,
0
UU
j2,j1,
j1,j2,
j
j1,j2,
0
UU
j1,j2,
j1,j2,
j
БКБЭ
БКБЭ
=
-
-
+
=
-
-
+
=
==
==
;
;
jj
jj
(64)
Моделирование биполярной полупроводниковой структуры на достаточно
грубой координатной сетке (см. рис. 51) при использовании традиционного метода
интегрирования токов дало неудовлетворительный результат [77]. Входная ВАХ
76
биполярной структуры, полученная с использованием предложенной методики чис-
ленного интегрирования токов и в достаточной степени согласующаяся с экспери-
ментальными данными, приведена на рис. 53.
Рис. 53. Входная ВАХ биполярной структуры
Таким образом, численное интегрирование токов с использованием попра-
вочных коэффициентов позволяет в ряде случаев в 1.5 - 2 раза сократить размер-
ность задачи (число узлов координатной сетки), что приводит к сокращению време-
ни вычислений в десятки раз [77, 79].

Страницы