Электрический ток в наноструктурах: кулоновская блокада и квантовые точечные контакты. Щелкачёв Н.М - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МФТИ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

DF n
1
+
()
1
2
а)
1
2
DF
2
-
( +1)n
D -F n
1
+
( )1
1
2
б)
1
2
DF
2
-
()n
Рис. 3. Два типа переноса заряда при V > 0, в каждом случае процесс
состоит из двух шагов (левый рисунок — первый шаг, правый — второй).
Начальное число электронов на островке n, промежуточное равно (n+1)
в случае (а), и (n−1) в случае (б), окончательное число электронов снова
равно n. Поэтому процесс может повторяться снова и снова. Процессы,
показанные на рисунках (а) и (б), имеют различные пороговые значения
напряжения (которые соответствуют выполнению условия ∆F
+
1
(n) < 0
в первом случае и ∆F
−
2
(n) < 0 — во втором), и кулоновская блокада при
T = 0 имеет место до тех пор, пока напряжение V не достигнет меньшего
из двух пороговых значений
15
а)              DF1+ (n)                              DF2- (n +1)
      1                       2               1                       2




б)              DF2- (n)                              DF1+ (n -1)
      1                       2               1                       2



Рис. 3. Два типа переноса заряда при V > 0, в каждом случае процесс
состоит из двух шагов (левый рисунок — первый шаг, правый — второй).
Начальное число электронов на островке n, промежуточное равно (n+1)
в случае (а), и (n−1) в случае (б), окончательное число электронов снова
равно n. Поэтому процесс может повторяться снова и снова. Процессы,
показанные на рисунках (а) и (б), имеют различные пороговые значения
напряжения (которые соответствуют выполнению условия ∆F1+ (n) < 0
в первом случае и ∆F2− (n) < 0 — во втором), и кулоновская блокада при
T = 0 имеет место до тех пор, пока напряжение V не достигнет меньшего
                       из двух пороговых значений




                                  15

Страницы