ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ром мы будем считать чисто ёмкостной, так что туннельное сопро-
тивление этого контакта равно бесконечности и непосредственный
перенос заряда через него невозможен. Типичные эксперименталь-
ные параметры таковы, что C
1
∼ C
2
∼ 10
−16
Ф, в то время как
C
g
≪ C
1(2)
. Из рис. 1а становится ясно происхождение термина
одноэлектронный транзистор — так же, как и в обычном полу-
проводниковом транзисторе, в этой системе может течь ток между
двумя резервуарами, и этот ток управляется с помощью напряже-
ния на затворе.
Для симметричности изложения удобно начать рассмотрение с
более общей схемы одноэлектронного транзистора (рис. 1б), где ост-
ровок соединён ёмкостями C
i
и туннельными сопротивлениями R
i
с несколькими проводниками, имеющими потенциалы V
i
. Точка от-
счёта потенциалов проводников может быть выбрана любой; ниже
мы будем выбирать её из соображений удобства. Потенциал φ ост-
ровка равен
φ =
i
C
i
V
i
+ ne
C
Σ
, (2)
где n — число избыточных электронов на островке (при n = 0 ост-
ровок электронейтрален; число n может быть как положительным,
так и отрицательным, что соответствует добавлению электронов на
островок или удалению их с островка), и C
Σ
=
i
C
i
. Этот простой
ответ может быть легко проверен, принимая во внимание, что до-
бавочный заряд ne должен быть равен сумме зарядов на внутрен-
них обкладках конденсаторов (т. е. на обкладках, соответствующих
островку), что равно
i
C
i
(φ − V
i
). (Важно помнить, что буква
«e» учитывает отрицательный заряд электрона.) Зная потенциал
островка, мы можем легко найти электростатическую энергию си-
стемы:
U =
1
2
i
C
i
(V
i
− φ)
2
. (3)
Подставляя в эту формулу φ из (2), найдём выражение для U через
удобные независимые переменные V
i
и n:
U =
1
2C
Σ
i
j>i
C
i
C
j
(V
i
− V
j
)
2
+
(ne)
2
2C
Σ
. (4)
Формула (4) даёт кулоновскую энергию для произвольных n и
V
i
. В это выражение входит работа, выполняемая источниками на-
9
ром мы будем считать чисто ёмкостной, так что туннельное сопро- тивление этого контакта равно бесконечности и непосредственный перенос заряда через него невозможен. Типичные эксперименталь- ные параметры таковы, что C1 ∼ C2 ∼ 10−16 Ф, в то время как Cg ≪ C1(2) . Из рис. 1а становится ясно происхождение термина одноэлектронный транзистор — так же, как и в обычном полу- проводниковом транзисторе, в этой системе может течь ток между двумя резервуарами, и этот ток управляется с помощью напряже- ния на затворе. Для симметричности изложения удобно начать рассмотрение с более общей схемы одноэлектронного транзистора (рис. 1б), где ост- ровок соединён ёмкостями Ci и туннельными сопротивлениями Ri с несколькими проводниками, имеющими потенциалы Vi . Точка от- счёта потенциалов проводников может быть выбрана любой; ниже мы будем выбирать её из соображений удобства. Потенциал φ ост- ровка равен ∑ Ci Vi + ne φ= i , (2) CΣ где n — число избыточных электронов на островке (при n = 0 ост- ровок электронейтрален; число n может быть как положительным, так и отрицательным, что соответствует добавлению ∑ электронов на островок или удалению их с островка), и CΣ = i Ci . Этот простой ответ может быть легко проверен, принимая во внимание, что до- бавочный заряд ne должен быть равен сумме зарядов на внутрен- них обкладках конденсаторов ∑ (т. е. на обкладках, соответствующих островку), что равно C i i (φ − Vi ). (Важно помнить, что буква «e» учитывает отрицательный заряд электрона.) Зная потенциал островка, мы можем легко найти электростатическую энергию си- стемы: 1∑ U= Ci (Vi − φ)2 . (3) 2 i Подставляя в эту формулу φ из (2), найдём выражение для U через удобные независимые переменные Vi и n: 1 ∑∑ (ne)2 U= Ci Cj (Vi − Vj )2 + . (4) 2CΣ i j>i 2CΣ Формула (4) даёт кулоновскую энергию для произвольных n и Vi . В это выражение входит работа, выполняемая источниками на- 9
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »