Контроль параметров микроструктуры материалов методами дифракционного анализа - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

где первое суммирование (j=1, ..., s) производится по всем
атомам базиса, а второе — по всем узлам решетки, число которых,
определенное выше, равно
3
M
. Выражение (23) для
( )
ρn
не
является однозначным, если распределения зарядов различных ионов
перекрываются: в этом не всегда можно определить долю заряда,
связанную с каждым атомом, но это не является существенным
затруднением.
В соответствии с (6) общую амплитуду рассеяния в кристалле
для вектора рассеяния g можно записать так:
( ) ( )
=dkin=M
kk'
∫
−
ρ ρexp ρ
3
( )
( )
∑ ∑
∫
−−−
mnp j
mnpjj
gic= ρexp ρρ ρ
. (24)
Вклад в
kk'
M
единичного члена
( )
mnpjj
c ρρρ
−−
в выражении
(24) равен
( )
( )
∫
−−−
=dgic
mnpjj
ρ ρexp ρρρ
3
( )
[ ]
g+if=
mnpjj
ρρexp
−
. (25)
При записи выражения (25) была сделана подстановка
mnpj
=' ρρρ ρ
−−
, (26)
и введена величина
( ) ( )
∫
−
gi'c=f
jj
ρexp ρ
, (27)
которая называется атомным фактором рассеяния или форм-фактором.
Выражение для амплитуды рассеяния можно теперь записать
так:
( )
[ ]
∑ ∑
−
mnp j
mnpjjkk'
=g+if=M ρρexp
( ) ( )
−
−
∑∑
j
jj
mnp
mnp
gifgi= ρexpρexp
, (28)
или
g
3
kk'
LM=M
.
23

Страницы