Контроль параметров микроструктуры материалов методами дифракционного анализа - 24 стр.

UptoLike

Сумма
( )
j
jjg
gif=L ρexp
, (29)
называется структурным фактором базиса.
Некоторое произвольное отражение называется отражением
(hkl), когда вектор обратной решетки равен
lc+kb+ha=g
. Для этого
отражения, используя выражение (20) для
j
ρ
, имеем:
( )
( )
( )
lz+ky+hx=lc+kb+hacz+by+ax=g
jjjjjjj
π2 ρ
, (30)
так что структурный фактор для указанного отражения можно
записать так
( )
( )
[ ]
j
jjjj
lz+ky+hxi2f=hklL πexp
. (31)
Структурный фактор не обязательно должен быть вещественной
величиной; так как в значение интенсивности рассеянной волны
входит , где
L
величина, комплексно сопряженная
L
. Нас,
прежде всего, интересуют нулевые значения величины
L
. При нуле
L
, интенсивность отражения, определяемого вектором g и разрешением
пространственной решеткой, равна нулю. Структурный фактор может
уничтожать некоторые отражения, которые разрешены
пространственной решеткой, и эти недостающие отражения помогают
нам в определении структуры.
Структурный фактор ОЦК решетки. Базис ОЦК решетки
состоит из двух одинаковых атомов. Их координаты в обычной
элементарной кубической ячейке равны
000
и
, т. е. для одного
из атомов
0
1
=z=y=x
11
, а для другого
2
1
2
=z=y=x
22
. Тогда (31)
принимает вид
( ) ( )
[ ]
{ }
l+k+hi+f=hklL πexp1
,
где
f
рассеивающая способность отдельного атома.
Величина
L
равна нулю в тех случаях, когда значение экспоненты
равно - 1, т. е. во всех тех случаях, когда ее показатель есть нечетное
число, помноженное на
πi
. Тогда имеем:
L = 0, если сумма h + k + l равна нечетному целому числу;
L = 2f, если эта сумма равна четному целому числу.
24