ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
1
Расчет теоретической зависимости толщины оксидной пленки от времени окисления для одной
из заданных температур.
2 Экспериментальное получение оксидной пленки термическим окислением в воздушной атмо-
сфере и измерение ее толщины для заданной температуры.
3 Исследование зависимости толщины оксидной пленки от времени окисления для заданной тем-
пературы по расчетным и экспериментальным данным.
4 Экспериментальное определение толщины оксидной пленки на образцах лабораторной коллек-
ции.
5 Составление технологической карты технологического процесса
6 термического окисления кремния.
7 Оформление результатов эксперимента и расчетов в виде таблиц и графиков.
Порядок выполнения работы
1 Получить задание, ознакомиться с содержанием работы, ознакомиться с конструкцией лабора-
торной установки окисления полупроводников, техникой безопасности.
2 Включить печь и поднять температуру в рабочей зоне до
заданной.
3 Произвести химическую обработку кремниевых пластин. Для этого: налить в стакан 50 мл сер-
ной кислоты, пинцетом поместить кремниевую пластину в стакан и обработать в течение 5…10 мин,
извлечь пластину и тщательно промыть в деионизованной воде, обработать пластину в азотной кислоте
в течение 3…5 мин, промыть пластину в деионизированной воде, обработать кремниевую пластину в
плавиковой кислоте в течение 1…3 мин (плавиковую кислоту наливать только в полиэтиленовый ста-
кан), просушить пластины с использованием центрифуги.
4 Поместить с помощью пинцета обработанные пластины в кассеты.
5 Медленно поместить кассеты в рабочую зону печи. Отметить время загрузки для каждой кассе-
ты.
6 Произвести термическое окисление пластин в течение заданного времени.
7 По истечении заданного времени извлечь соответствующую пластину из печи.
8 Налить в полиэтиленовый стакан 10 мл плавиковой кислоты.
9 С помощью винипластового стержня нанести каплю плавиковой кислоты на поверхность оксид-
ной пленки. При появлении на дне лунки чистого кремния прекратить травление промывкой в деиони-
зованной воде.
10 Просушить пластину кремния между фильтрами.
11 Определить толщину оксидной пленки с помощью микроскопа и результаты занести в таблицу.
12 Получить у лаборанта (или преподавателя) образцы пластин с предварительно сформированным
слоем термического оксида, измерить толщину на каждом из образцов, оформить результаты.
Контрольные вопросы
1 Какова роль окисленных пленок в технологии ИМС?
2 Физическая сущность процесса термического окисления.
3 Каков порядок термического окисления кремния?
4 Методика расчета технологического режима окисление.
5 Методы и методика измерения толщины оксидного слоя на поверхности кремния.
6 Дефекты при формировании оксидных пленок и причины их появления.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1 Термодинамические и кинетические исследования химических реакций: Метод. указания / А.П.
Воропаева, А.Б. Килимник, Н.А. Абакумова. Тамбов, 1989. 24 с.
2 Чистяков Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники: Учеб. пособие для
вузов / Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. М.: Металлургия, 1979. 408 с.
