Физико-химические основы технологии электронных средств. Шелохвостов В.П - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

•
полярные (олеиновая, стеариновая кислоты, канифоль и др.) имеют большой дополнительный
момент, плотную упаковку и малую удельную величину поверхности;
• неполярные (масло, вазелин, парафин и др.) не имеют определенной ориентации относительно
поверхности из-за малого дипольного момента, слой загрязнения с большой удельной поверхностью;
неполярные примеси могут вбирать полярное.
К химическим загрязнениям относят оксидные, сульфидные пленки, остатки металлических слоев,
которые могут связываться с поверхностью силами хемосорбции.
Вклад каждого вида загрязнений оценить трудно и в этой связи стремятся удалить с поверхности
все примеси.
Многочисленные схемы очистки сводятся к последовательному удалению физических, химических
загрязнений и продуктов химической обработки.
Порядок выполнения работы
1 Осмотреть поверхности предложенных подложек (ситалл, полупроводник) визуально и под мик-
роскопом в темном поле, оценить характер загрязнений.
2 Проконтролировать чистоту поверхности опрыскиванием водой; нанести на горизонтальную по-
верхность подложки слой деионизированной воды; наклоном подложки удалить излишек воды; при
формировании на поверхности подложек множества капель считать подложку грязной; в случае полно-
го смачивания поверхности подложка чистая.
3 Провести очистку полупроводниковых пластин под вытяжкой с закрытой передней панелью на-
лить в чашку Петри 25 мл растворителя (четыреххлористый углерод, фреон или др.); пинцетом помес-
тить подложку в емкость с растворителем, обработать в течение 1…5 минут; извлечь подложку, закрыть
чашку стеклянной пластиной; обработать подложку в серной кислоте в течение 5…10 минут; извлечь
подложку, промыть деионизированной водой; обработать подложку в азотной кислоте 3…5 минут;
промыть подложку в деионизированной воде; обработать подложку в плавиковой кислоте в течение
1…3 минут, использовать только полиэтиленовую емкость; промыть подложку деионизированной во-
дой.
4 Проконтролировать чистоту опрыскиванием водой по п. 2.
5 Провести сушку подложки.
6 Установить подложку на стол центрифуги; просушить при 1000…1500 об/мин в течение 1…2
минут; выключить центрифугу, снять подложку.
7 Проконтролировать чистоту поверхности подложки. Настроить микроскоп ММУ-3 на темно-
польное изображение; поставить подложку на столик микроскопа; осмотреть поверхность, наличие ме-
ханических загрязнений обнаруживается в виде светящихся точек на темном поле; подложку считать
чистой, если в поле микроскопа обнаруживается менее 2 – 3 частиц; снять подложку, выключить мик-
роскоп.
8 Провести подготовку металлической подложки из бронзы БрБ2.
9 Обработать, подложку в растворителе, провести химическое полирование в 5 % растворе аммиа-
ка в течение 1…2 минут, осадок удалить кистью, промыть дистиллированной водой, просушить; про-
вести терморихтовку при 400 °С в вакууме 3…4 часа (в работе используются терморихтованные под-
ложки) декапировать поверхность в 5 % серной кислоте погружением в ванну для растворения тонкой
окисной пленки (1…2 минуты); обработать подложку в слабом растворе щелочи (0,5 % KOH); промыть
дистиллированной водой и просушить.
10 Выбрать схему очистки подложки с напыленным загрязненным слоем с целью последующего ее
использования в технологическом процессе (ситалл–медная пленка, ситалл–резистивный слой, ситалл–
хромовая пленка и др.).
11 Провести очистку предложенной подложки по выбранному режиму с контролем качества очи-
стки.
Содержание отчета
Отчет по работе должен включать название, цель работы, краткое содержание, описание выбранно-
го процесса очистки, результаты, выводы.
Контрольные вопросы

Страницы