ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
l
расч
= bk
ф
. (4.1.24а)
За длину l резистора принимается ближайшее к l
расч
значение, кратное шагу координатной сетки, принятому
для чертежа топологии с учетом масштаба.
Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных площадок определяется из выражения
l
полн
= l + 2е, (4.1.24б)
где е – размер перекрытия резистора и контактной площадки (е > 02 мм для "свободной" маски и е > 0,1 мм для
метода литографии).
Площадь, занимаемая резистором на площадке, определяется по формуле
S = l
полн
b. (4.1.25)
В случае резисторов с 0,1 < k
ф
< 1 сначала определяется длина, а затем ширина резистора.
Расчетное значение длины резистора l
расч
выбирается из условия
l
расч
> max {l
техн
, l
точн
, l
р
}, (4.1.26а)
где l
техн
– минимальная длина резистора, определяемая разрешающей способностью выбранного технологического
метода формирования конфигурации (l
техн
= 0,2 мм для метода "свободной" маски и l
техн
= 0,1 мм для метода
литографии); l
точн
– минимальная длина резистора, при которой обеспечивается заданная точность
l
точн
> (∆l + ∆bk
ф
) / γ
kф
. (4.1.26б)
За длину l резистора принимается ближайшее к l
расч
значение, кратное шагу координатной сетки, принятому
для чертежа топологии.
Расчетная ширина резистора определяется по формуле
b
расч
= l / k
ф
. (4.1.27)
За ширину резистора принимается ближайшее к b
расч
значение, кратное шагу координатной сетки.
Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных площадок и площадь резистора определяются
соответственно по формулам (4.1.24б) и (4.1.25).
Для проверки правильности расчета находятся действительная удельная мощность рассеивания и
погрешность резистора. Резистор спроектирован удовлетворительно, если:
1) удельная мощность рассеивания
0
1
0
/ PSPP <= ; (4.1.28)
2) погрешность коэффициента формы γ'
kф
не превышает допустимого значения γ
kф
:
γ'
kф
= ∆l / l
пол
+ ∆b / b ≤ γ
k ф.доп
; (4.1.29а)
3) суммарная погрешность γ
R'
не превышает допуска γ
R
:
γ
′
R
= γ
ρs
+ γ
kф
+ γ
Rт
+ γ
Rк
+ γ
Rст
≤ γ
R
. (4.1.29б)
4.1.2.2. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов
сложной формы (k
ф
>10)
К резисторам сложной формы относятся конфигурации типа "меандр", приведенные на рис. 4.1.2, в. Расчет
их ведется также из условия минимальной занимаемой площади. Ширина определяется по приведенным выше
формулам (4.1.21) – (4.1.23). Дальнейший расчет после определения ширины b резистора ведется в следующей
последовательности:
– определяется длина средней линии меандра
l
ср
= b
k
ф
, (4.1.30)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 56
- 57
- 58
- 59
- 60
- …
- следующая ›
- последняя »
