Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 90 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Вместе с размещением элементов и компонентов проводят изображения проводников в виде одной линии по
оси проводника. Следует учитывать ширину проводников при их параллельном расположении. Пленочные
проводники должны проводиться параллельно осям координат. Обозначение проводников навесных компонентов
и перемычек должно отличаться визуально. Необходимо избегать пересечения с начерченными ранее
проводниками. При этом надо максимально использовать возможности воздушной переброски проводников
компонентов с гибкими выводами для уменьшения или полной ликвидации пересечений пленочных
проводников.
После проработки коммутационной схемы с обеспечением минимальной длины проводников и
минимального количества пересечений производят изображение пленочных проводников двумя линиями.
Изображение проводников, лежащих в разных слоях, лучше осуществлять разными цветами.
Необходимо обращать внимание на использование простых форм элементов, на равномерное размещение
элементов на плате. Следует предусмотреть удобство выполнения сборочных операций (увеличение контактных
площадок пробных элементов, расширение допусков на совмещение слоев и др.).
Кроме того, надо учитывать необходимость контроля электрических параметров элементов (располагать
дополнительные контактные площадки для контактов с зондами измерительных устройств сопротивления,
емкости и др.), а также иметь в виду требования к монтажу навесных компонентов и требования к сборке и
защите микросхемы.
Поскольку разработка топологии является процессом многоплановым (многопараметрическим),
выполняемым с привлечением достаточно большого количества разноплановой информации, то чаще не удается
получить приемлемый вариант топологии с первого раза. Дальнейшая работа связана с анализом полученного
результата (топологии) и устранением выявленных недостатков. Основное внимание направляют на то, чтобы
чертеж соответствовал требованиям конструктивно-технологических ограничений (табл. 5.1.3). Следующий
существенный момент касается масок. Необходимо проверить саму возможность выполнения маски, например
отсутствие замкнутых участков. Чтобы выявить такие недочеты, как провисание некоторых участков маски,
лучше для наглядности выделить анализируемый слой определенным цветом. Если не удается приемлемым
образом устранить недостаток, то часть топологии проводника выполняют в другом слое. Это можно сделать в
слое с нижними обкладками конденсаторов.
Окончательный вариант топологии (суперпозиция слоев) является основой для последующего выполнения
чертежей слоев (резисторов, металлической разводки, нижних и верхних обкладок конденсаторов,
диэлектрических слоев конденсаторов и т.д.)
Разработанная топология должна удовлетворять ряду требований, основными из которых являются:
соответствие принципиальной электрической схеме и конструктивным требованиям; наиболее простая и дешевая
технология; возможность проверки элементов в процессе изготовления; обеспечение заданного теплового
режима. Кроме того, емкостные и индуктивные связи не должны нарушать нормальную работу схемы при
заданных условиях эксплуатации.
При проверке правильности разработки топологии ГИС принят следующий порядок: проверка соответствия
принципиальной электрической схеме; соответствие контактных площадок выводам корпуса; соответствие
конструктивно-технологическим требованиям по табл. 5.1.3; проверяют соответствие расчетным значениям
длины, ширины и коэффициента формы резисторов (при необходимости производят корректировку); проверка
наличия в схеме пересечений пленочных проводников и их изоляции диэлектриком; проверка возможности
контроля элементов по различным параметрам; обеспечение нормального функционирования микросхемы при
заданных условиях эксплуатации. При наличии емкостей и индуктивностей оценивают емкостные и индуктивные
связи.
Топология толстопленочных гибридных ИМС. При разработке топологии учитываются особенности
толстопленочной технологии, конструктивные и технологические ограничения, основные из которых приведены
в табл. 5.1.5.
Последовательность разработки топологии совпадает с последовательностью, принятой для тонкопленочных
ИМС.
Однако имеется и ряд особенностей, связанных в основном с технологией. Они касаются пленочных
элементов, контактных площадок, выводов и контактных переходов.
Пленочные элементы могут располагаться на обеих сторонах платы. Соединения между элементами,
расположенными на разных сторонах платы, выполняют через отверстия или внешние контактные площадки, как
показано на рис. 5.1.6.
Проводники, контактные площадки, выводы выполняют из проводящих материалов, выпускаемых в виде паст,
приведенных в табл. 4.1.2 – 4.1.4. Они выполняются на платах в первую очередь в связи с более высокой
температурой вжигания, т.е. располагаются в нижнем слое; резисторы выполняются поверх проводящего слоя, но
под ними не должно быть проводящего слоя в случае возможного использования лазерной подгонки.

Страницы