ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Следует отметить, что конденсаторы (как компоненты) имеют большой допуск по ширине и длине (из-за
керамической технологии). Ввиду этого размеры контактных площадок (рис. 5.1.9) определяются из следующих
соотношений:
l ≥ B
кон. max
+ 0,4 мм; l
1
= L
к min
– 0,2 мм; l
1
+ 2b ≥ L
к max
+ 0,4 мм, (5.1.5)
где L
min
, L
max
– минимальная и максимальная длина конденсатора;
В, l – ширина и длина контактных площадок; L
1
– расстояние между контактными
площадками.
Прорези на контактных площадках (рис. 5.1.9) выполняются с целью
уменьшения толщины припоя при монтаже конденсаторов (ширина прорезей
t < 0,2 мм, минимальное расстояние между прорезями d = 0,5 мм). Минимальное
расстояние от края контактной площадки до прорези b
1
= 0,2 мм.
Рекомендуется также располагать все навесные компоненты на одной
стороне платы. Допускается монтировать их на пленочных резисторах и
проводниках при соответствующей изоляции диэлектрическим слоем.
В отношении пленочных резисторов рекомендуется следующее.
Максимальное число резистивных слоев из паст разного состава на одной стороне
платы должно быть не более трех. Ориентировка резисторов должна быть
одинаковой, резисторы с близкими номиналами следует выполнять с использованием одинаковых паст.
Контактные площадки и проводящие элементы должны выполняться в одном слое. Каждый подгоняемый
подрезкой резистор должен иметь внешние контактные площадки (при отсутствии предусмотренных электрической
схемой выполняются временные перемычки до внешних контактных площадок). Это диктуется необходимостью
непрерывного контроля номинала при лазерной подгонке. После подгонки временные перемычки удаляются.
Пленочные конденсаторы не располагают на той стороне платы, которая заливается компаундом. При
соединении конденсаторов верхняя или нижняя обкладки могут быть общими.
Эскиз топологии обычно выполняют в масштабе 10:1 или 20:1 на миллиметровой бумаге с шагом сетки
топологического чертежа 1,0 или 0,5 мм. Эскиз выполняется для обеих сторон. Особенностью проектирования
толстопленочных ИМС следует также считать стремление к минимизации площади пленочных проводников и
резисторов по экономическим соображениям (в пасте используются драгоценные металлы). Для удобства учета
расхода материалов на чертеже платы указывают площади элементов, нанесенных различными пастами.
5.2. ВЫБОР ИЛИ РАЗРАБОТКА КОРПУСА
Защита ИМС от различного рода внешних воздействий (дестабилизирующих факторов), таких как повышенная
или пониженная температура, высокая влажность, солнечная радиация, агрессивные среды или механические
вибрации, осуществляется в основном герметизацией в специально созданных конструкциях – корпусах. Иногда
герметизация выполняется непосредственным нанесением защитных покрытий на подложку.
Сейчас разработка ИМС в корпусах и в бескорпусном исполнении, как правило, проводится параллельно.
Бескорпусные полупроводниковые и гибридные ИМС разрабатываются для использования в составе ячеек и
блоков микроэлектронной аппаратуры, подвергающихся общей герметизации.
Герметизация в корпусах. Корпусы ИМС классифицируются по форме и расположению выводов. Их делят
на пять типов, приведенных в табл. 5.2.1.
5.2.1. Типы корпусов ИМС по ГОСТ 17467–79
Рис. 5.1.9. Топология контактных
площадок в случае монтаже
навесных конденсаторов
l
b l
1
B
кон. max
L
к max
L
к min
b
1
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 90
- 91
- 92
- 93
- 94
- …
- следующая ›
- последняя »
