Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 35 стр.

кинетической энергии электронов в энергию нагрева при бомбардировке ими
испаряемого материала. Эти испарители применяются при нанесении пленок
тугоплавких материалов, не загрязняют камеру материалом нагревателя и тигля и
могут быть использованы более длительное время, чем резистивные. Однако при
электронной бомбардировке некоторые материалы разлагаются на фракции с
выделением газообразных веществ. Обычно площадь сфокусированного
электронного пучка 3—60 мм2, напряжение на аноде 6 - 10 кВ, скорость испарения-
до 5 мг/с.




 Рис. 2. Резистивные испарители: а, б – проволочные; в, г, д – ленточные; е – тигельный;
 1 – нагреватель; 2 – испаряемое вещество; 3 – компенсаторы; 4 – крышка; 5 – тигель.




         Рис.3. Электронно-лучевой (а) и индукционный (б) испарители:
         1-катод; 2-управляющий электрод; 3-анод; 4-магнитная фокусирующая
         система; 5-электронный пучок; 6-испаряемый материал; 7-индуктор.
      Индукционные испарители (рисунок 3б) основаны на разогреве материала
высокочастотным магнитным полем, создаваемым индуктором. Основной
недостаток этих испарителей - значительная зависимость скорости испарения
вещества от его массы.
      Катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыление существенно
отличаются от термического испарения. Так, при катодном распылении материалов
процесс происходит при давлении от 1 до 102 Па, скорость роста пленки меньше, чем
при термическом испарении и она формируется в газовом разряде. Катодное
распыление основано на том, что поток положительно заряженных ионов газа
(например, аргона), получивших энергию от сотен электронвольт до единиц
килоэлектронвольт, направляют на мишень, выполненную из распыляемого
вещества. Ионной бомбардировкой из мишени выбиваются частицы вещества,
которые оседают на подложке в виде тонкой пленки. В зависимости от способов
                                           35