Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

42
пленочные пассивные элементы с заданными параметрами. В таких случаях
применяют резисторы, конденсаторы и спирали индуктивностей в виде навесных
дискретных компонентов. В настоящее время вместо реальных емкостных или
индуктивных элементов используют их электронный аналог, имитирующий
свойства индуктивностей и емкостей. Такие электронные схемы получили
название- гираторных схем.
Рис. 3. Конструкции пленочных индуктивных элементов в виде круглой и
прямоугольной спиралей: 1-пленочный проводник; 2-подложка; 3-контактная
площадка.
Конструкции диодов.
Диоды полупроводниковых ИМС можно сформировать на любом из p-n-
переходов планарно-эпитаксиального транзистора. Наиболее удобны для этих
целей переходы эмиттер-база и база-коллектор. Пять возможных вариантов
диодного включения транзисторов приведены на рис.3, где в качестве диода
используются: переход база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу (а);
переход коллектор - база с эмиттером, закороченным на базу (б); параллельное
включение обоих переходов (в); переход эмиттер - база с разомкнутой цепью
коллектора (г); переход база - коллектор с разомкнутой цепью эмиттера (д).
При соответствующем выборе варианта диодного включения транзистора
возможно подобрать оптимальные параметры по быстродействию, пробивному
напряжению, обратному току (см. табл. 3).
Таблица 3.
Параметры диодов
Вариант диодного
включения
транзистора
Пробивное
напряжение,
U
пр
, В
Обратный
ток, I
обр
, нА
Быстродействие, время
восстановления
обратного тока, τ
вост
, нс
БК - Э
БЭ - К
Б - КЭ
Б - Э
Б - К
7-8
40-70
7-8
7-8
40 – 70
1,0
30,0
40,0
1,0
3,0
10
50
100
50
75 
пленочные пассивные элементы с заданными параметрами. В таких случаях
применяют резисторы, конденсаторы и спирали индуктивностей в виде навесных
дискретных компонентов. В настоящее время вместо реальных емкостных или
индуктивных элементов используют их электронный аналог, имитирующий
свойства индуктивностей и емкостей. Такие электронные схемы получили
название- гираторных схем.




     Рис. 3. Конструкции пленочных индуктивных элементов в виде круглой и
   прямоугольной спиралей: 1-пленочный проводник; 2-подложка; 3-контактная
                                  площадка.

Конструкции диодов.
      Диоды полупроводниковых ИМС можно сформировать на любом из p-n-
переходов планарно-эпитаксиального транзистора. Наиболее удобны для этих
целей переходы эмиттер-база и база-коллектор. Пять возможных вариантов
диодного включения транзисторов приведены на рис.3, где в качестве диода
используются: переход база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу (а);
переход коллектор - база с эмиттером, закороченным на базу (б); параллельное
включение обоих переходов (в); переход эмиттер - база с разомкнутой цепью
коллектора (г); переход база - коллектор с разомкнутой цепью эмиттера (д).
      При соответствующем выборе варианта диодного включения транзистора
возможно подобрать оптимальные параметры по быстродействию, пробивному
напряжению, обратному току (см. табл. 3).
                                                                       Таблица 3.
                                 Параметры диодов
Вариант диодного         Пробивное          Обратный     Быстродействие, время
   включения            напряжение,        ток, Iобр, нА    восстановления
   транзистора             Uпр, В                        обратного тока, τвост, нс
      БК - Э                 7-8                1,0                 10
      БЭ - К                40-70              30,0                 50
      Б - КЭ                 7-8               40,0                100
       Б-Э                   7-8                1,0                 50
       Б-К                 40 – 70              3,0                 75




                                        42

Страницы