Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 43 стр.

            а)            б)            в)            г)            д)
Рис. 3. Диодное включение транзисторов: а) БК-Э; б) БЭ-К; в) Б-КЭ; г) Б-Э; д) Б-К.

Конструкции биполярных транзисторов.
      В полупроводниковых ИМС биполярный n-p-n транзистор является
основным схемным элементом. У n-p-n транзисторов быстродействие при прочих
равных условиях лучше, чем у p-n-p транзисторов. Это объясняется тем, что
подвижность электронов выше, чем дырок.




  Рис. 4. Конструкция биполярного транзистора: 1-эмиттер; 2-база; 3-коллектор;
              4-скрытый слой; 5-приконтактная область коллектора.




   Рис. 5. Форма эмиттеров биполярных транзисторов повышенной мощности:
                 а) П-образная; б) гребенчатая; в) древовидная.

       Начнем анализ с простейшей конструкции биполярного транзистора n+-p-n
(рис.4). Эмиттер транзистора сильно легируют до получения максимального
коэффициента инжекции. Базу транзистора для повышения коэффициента переноса
делают тонкой и низколегированной, так, чтобы толщина базы (wб) была намного
меньше диффузионной длины инжектированных в базу электронов. Под
коллектором располагают низкоомный слой n+ (скрытый слой) для уменьшения
сопротивления коллектора при работе последнего в режиме насыщения. В тех
случаях, когда транзистор не переходит в режим насыщения, скрытый слой не
делают.
       При контакте полупроводника n-типа с трехвалентным алюминием, который
является акцептором, последний может диффундировать в коллектор с
образованием области р-типа и паразитного р-n-перехода. Для предотвращения
образования паразитного перехода область коллекторного контакта легируют до n+.


                                        43