Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

44
Рис. 6. Конструкция многоэмиттерного транзистора:
БП - базовый проводник, БК - базовый контакт.
Рис. 7. Конструкция
горизонтального p-n-
p транзистора:
w
б
- ширина базы.
Рис. 8. Конструкция полевого
транзистора. 
        Рис. 6. Конструкция многоэмиттерного транзистора:
          БП - базовый проводник, БК - базовый контакт.




    Рис. 7. Конструкция               Рис. 8. Конструкция полевого
горизонтального p-n-p транзистора:                транзистора.
        wб - ширина базы.




                                 44

Страницы