Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 46 стр.

транзисторах обратимы и их можно поменять местами при включении
транзисторов в схему.
      Основными конструктивными параметрами МДП - транзистора являются
длина канала lk и ширина канала bk. Для обеспечения надежного наведения канала
с учетом возможного несовмещения отдельных областей затвор должен
располагаться над каналом с некоторым перекрытием.
      Особенностью МДП ИМС является то, что в качестве пассивных элементов
используют МДП - транзисторы. При использовании МДП транзистора в качестве
резистора необходимо на его затвор подавать постоянное напряжение, величина
которого будет определять номинал сопротивления. В качестве конденсаторов в
МДП ИМС используют емкость затвор - подложка или барьерную емкость p-n-
перехода сток ( исток ) - подложка.




                      а).                                     б).




                                      в).
  Рис. 9. Конструкция МДП - транзисторов: а) р - МДП - транзистор; б) n - МДП -
 транзистор; в) комплементарная пара транзисторов; ОК1, ОК2 - охранные кольца.

      МДП ИМС, у которых в объеме кристалла сформированы одновременно n- и
р-канальные МДП - транзисторы, называются комплементарными ( рис.9, в ).
Цифровые схемы на комплементарных МДП транзисторах (КМДП ИМС)
практически не потребляют мощность в статическом режиме и потребляют ее
только в момент переключения.

                                       46