Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 47 стр.

      Как видно из рисунка, для формирования комплементарной структуры
необходимо формировать р - карман для размещения n-МДП - транзисторов. Кроме
того, для устранения влияния паразитных МДП - транзисторов применяют
охранные кольца p+ и n+ - типа, которые могут опоясывать один или несколько
транзисторов с каналом одного типа проводимости. Применение охранных колец
снижает степень интеграции КМДП ИМС.
      Существенным недостатком МДП ИМС является опасность пробоя затвора
на подложку статическим электричеством при монтаже или транспортировке
микросхем. Для устранения этого явления все логические входы дополняют
охранными диодами и резисторами. Пример такой защиты на входе КМДП ИМС
приведен на рис. 6 Приложения 4. Назначение диодов VD1-VD3 очевидно, а
резистор R1 необходим для ограничения зарядного тока емкости затвор - подложка
комплементарных МДП - транзисторов в динамическом режиме.

Конструкция полевых транзисторов
      Принцип работы полевого транзистора также, как и МДП - транзистора,
основан на модуляции толщины проводящего канала и его сопротивления под
действием потенциала затвора. На рис. 8 приведена конструкция полевого
транзистора с каналом n-типа проводимости. Канал образуется между стоком и
истоком. Толщина канала регулируется двумя обратно смещенными p-n-
переходами: затвор — эпитаксиальный слой и эпитаксиальный слой — подложка.
В указанной конструкции на затвор подается отрицательный потенциал
относительно истока. Характерной особенностью полевого транзистора ПИМС
является замкнутая форма затвора, окружающего область стока. В этом случае ток
между истоком и стоком всегда будет протекать через канал.
      Полевые транзисторы такой конструкции находят применение во входных
каскадах операционных усилителей, изготовленных по планарно - эпитаксиальной
технологии.

Компоненты ГИС
      Как уже упоминалось, если в полупроводниковой ИМС транзистор является
элементом, в гибридной ИМС он будет являться компонентом (навесным).
      В качестве компонентов ГИС применяют диоды и диодные матрицы,
транзисторы и транзисторные матрицы, полупроводниковые ИМС, конденсаторы,
наборы прецизионных резисторов и конденсаторов, индуктивности, дроссели,
трансформаторы и т.д.. Компоненты могут иметь жесткие и гибкие выводы.
      Способ монтажа компонентов на плату должен обеспечить фиксацию
положения компонента и выводов, сохранение его целостности, параметров и
свойств, а также отвод теплоты, сохранение целостности ГИС при
термоциклировании, стойкость к вибрациям и ударам. На рис.10 показаны способы
установки, крепления и присоединения выводов компонентов ГИС.
      Монтаж компонентов с гибкими выводами наиболее прост, так как
уменьшается количество пересечений пленочных проводников, ведь гибкие
выводы могут идти поверх защищенной пленочной разводки. Недостатки метода -
высокая трудоемкость операций монтажа, так как каждый вывод припаивается
(приваривается) отдельно и, как следствие, низкая надежность, трудность
автоматизации. Монтаж компонентов с жесткими выводами, напротив, позволяет
автоматизировать процесс, снизить трудоемкость монтажа, повысить надежность,

                                      47