Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 49 стр.

при сушке. Платы СВЧ микросхем имеют металлизированную обратную сторону
подложки. Их крепят к основанию корпуса пайкой или сваркой. Возможно
механическое крепление платы к основанию корпуса, а также заливка
стеклоэмалью.
       Под топологией ГИС понимается взаимное размещение и соединение
элементов микросхемы.
       Исходными данными для разработки топологии являются:
•      технология изготовления (тонкопленочная, толстопленочная и др.), принятая
для микросхем данной серии;
•      принципиальная электрическая схема;
•      принятый способ защиты (корпусная, бескорпусная) микросхема данной
серии.
       При разработке топологии учитываются технологические, схематические и
конструктивные требования и ограничения.
       Технологические требования и ограничения ГИС
1.     Минимальная ширина пленочных проводников:
•      100 мкм при масочном способе;
•      50 мкм при фотолитографическом способе.
2.     Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами:
•      300 мкм при масочном способе
•      100 мкм при фотолитографическом способе.
3.     Не допускается установка навесных компонентов на пленочные
конденсаторы, спирали индуктивностей и пересечения пленочных проводников.
Допускается установка навесных компонентов на пленочные проводнику и
резисторы, защищенные диэлектриком.
4.     Минимальные расстояния между навесными компонентами 0,4 мкм.
5.     Максимальная длина гибкого вывода без дополнительного закрепления - 3,0
мм.
       Примечание. Дополнительное закрепление производится точечным
приклеиванием гибкого вывода к подложке.
6.     Топологические чертежи должны выполняться в прямоугольной системе
координат. Применение наклонных линий не рекомендуется. Наклонные линии
допускаются только в тех случаях, когда их использование приводит к
существенному упрощению формы пленочного элемента.
       Схемотехнические требования и ограничения ГИС
1.     Входная и выходная цепи микросхемы должны быть максимально разнесены
на плате для минимизации паразитных обратных связей между входом и выходом.
2.     Компоненты (элементы) большой мощности необходимо располагать в
центре платы для улучшения теплоотвода.
3.     К схемотехническим относятся также ограничения по мощности, частоте,
помехозащищенности и др.
       Конструктивные требования и ограничения ГИС
1.     Для всех микросхем данной серии необходимо использовать
унифицированные (одинаковые) корпуса. Для бескорпусных микросхем следует
применять унифицированное защитное покрытие.
2.     Каждый корпус должен иметь ключ, обозначающий первый вывод
микросхемы.
3.     Каждая плата должна иметь ключ в виде нижней левой контактной

                                       49