Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 50 стр.

площадки     с     вырезом    или     специального   знака,    например,   в
форме треугольника.
4.    Контактные площадки рекомендуется располагать по периферии платы.
      Приведенные технологические, схемотехнические и конструктивные
требования и ограничения - это отдельные примеры, иллюстрирующие их
сущность. Полное изложение требований и ограничений, учитываемых при
разработке топологии, приводится в руководящих технических материалах
предприятий, изготавливающих микросхемы.
      Пленочная часть микросхемы (платы) состоит из нескольких слоев:
резистивных, проводящих, диэлектрических.
      Последовательность     нанесения    слоев   тонкопленочной   гибридной
микросхемы:
1.    резисторы;
2.    проводники и контактные площадки;
3.    межслойная изоляция;
4.    проводники;
5.    нижние обкладки конденсаторов;
6.    диэлектрик конденсаторов;
7.    верхние обкладки конденсаторов;
8.    защитный слой.
      В зависимости от номенклатуры элементов микросхемы и от ее сложности
некоторые слои могут отсутствовать. Каждый пленочный слой микросхемы
изготавливается с помощью масок иди фотошаблонов.
Последовательность нанесения слоев толстопленочной микросхемы:
1.    проводники, контактные площадки и нижние обкладки конденсаторов;
2.    диэлектрик конденсаторов;
3.    верхние обкладки конденсаторов;
4.    резисторы;
5.    защитный слой.

      Вспомогательные элементы ПИМС
      До начала анализа вспомогательных элементов ПИМС рассмотрим
конструкцию проводников. Элементы ПИМС электрически соединены между
собой с помощью алюминиевых пленочных проводников, расположенных на
поверхности изолирующего окисла или межслойной изоляции. Контактирование
проводника со всеми областями кристалла осуществляется через контактное окно в
окисле, причем для получения надежного контакта окно закрывается проводником
с перекрытием. Толщина проводника достигает 1,2 мкм при минимальной ширине,
определяемой технологическими ограничениями.
      Рассмотренная конструкция проводников не обеспечивает изоляцию
пересекающихся проводников. Для этих целей используют вспомогательный
элемент - диффузионную перемычку. В такой перемычке один проводник
расположен на поверхности изолирующего окисла, а другой пролегает под ним в
виде участка р+- или n+- слоя. Диффузионная перемычка по существу является
низкоомным диффузионным резистором, над телом которого проложен
пересекающийся проводник. Для получения качественной перемычки необходимо
проектировать ее с коэффициентом формы Кф≤1.
      Вторым вспомогательным элементом ПИМС является внешняя контактная

                                      50