Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 51 стр.

площадка. Она предназначена для электрического соединения кристалла с
внешними выводами корпуса с помощью гибких проводников. Конструктивно
внешняя контактная площадка выполняется из пленочного алюминиевого
проводника размером порядка 50 × 50 мкм и располагается на периферии
кристалла. От кристалла площадка изолируется окислом, а от внешней среды
пассивирующим (защитным) слоем, в котором делают окно для приварки внешнего
гибкого вывода. Иногда контактную площадку снабжают двойной изоляцией для
предотвращения замыкания на кристалл в случае нарушения целостности окисла
при термокомпрессионной сварке под местом сварки. Для этого под площадкой
формируют изолирующий карман с проводимостью, обратной проводимости
исходной пластины. В тех случаях, когда контактная площадка формируется на
толстом окисле, область изоляции в виде кармана не делают.
      Последним вспомогательным элементом ПИМС являются фигуры
совмещения. Они имеют прямоугольную или крестообразную форму или
выполняются в виде набора рисок разной толщины.
      В данной лабораторной работе Вы будете наблюдать окончательный вид
фигур совмещения после завершения технологического процесса. Количество
фигур будет на одну меньше числа фотолитографий, использованных при
производстве ИМС. Каждая фигура состоит из двух квадратов основного
(внешнего) и встроенного (внутреннего). Качество совмещения определяют по
взаимному положению основного и встроенного квадратов. Совмещение будет
идеальным, если все фигуры концентричны. Чаще всего фигуры совмещения
располагают на периферии кристалла между внешними контактными площадками.

      Способы изоляции элементов.
      Между активными и пассивными элементами ПИМС, сформированными в
объеме полупроводникового кристалла, необходимо обеспечить надежную
электрическую изоляцию.
      Различают три способа изоляции:
•     обратно смещенным p-n - переходом (рис. 11, а);
•     диэлектриком (рис. 11, б);
•     комбинированный, представляющий сочетание изоляции p-n-переходом и
диэлектриком (рис. 11, в).
      Основным недостатком изоляции p-n-переходом, является наличие
значительных паразитных емкостей и токов утечки изолирующих p-n-переходов,
что особенно сказывается на быстродействующих и микромощных ИМС. Изоляция
элементов диэлектриком позволяет создавать ИМС с улучшенными
характеристиками по сравнению с микросхемами, в которых использована
изоляция p-n-переходами. Однако микросхемы с диэлектрической изоляцией
имеют меньшую интегральную плотность. В комбинированном способе изоляции
совмещены некоторые преимущества методов изоляции p-n-переходом и полной
диэлектрической изоляции.




                                    51