Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

53
4. Краткое описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с
эскизами поперечных сечений диффузионного резистора, МДП конденсатора,
планарно-эпитаксиального транзистора, n-канального и р-канального МДП
транзисторов;
5. Заполненную по результатам анализа форму табл. 1;
6. Заполненную по результатам анализа форму табл. 2, 3;
7. Эскизы топологий активных и пассивных элементов в произвольном
масштабе с указанием типа проводимости, названия и размеров областей в
микрометрах;
8. Результаты расчета удельного поверхностного сопротивления и/или
удельной емкости.
9. Выводы по работе.
Лабораторное задание
Домашняя работа:
1. Ознакомиться с описанием лабораторной работы;
2. Изучить описание к лабораторной работе;
3. Выполнить пп. 1-4 раздела “Требования к отчету”;
4. Подготовить формы таблиц 1, 2, 3;
5. Приготовить миллиметровку (2 листа), карандаш и линейку;
6. Подготовиться к ответам на контрольные вопросы.
Форма таблицы 1
Характеристики и параметры ПИМС
Обозна-
чение
микрос-
хемы
Выпол-
няемая
функция
Способ
изоляци
и
элемен-
тов
микросх
емы
Количест-
во
внешних
контакт-
ных
площадок
Коли-
чество
элемен-
тов
Степень
интегра-
ции, К
Плот-
ность
упаков-
ки, К
V
,
см
-3
Приме-
чание
Форма таблицы 2
Подложки ГИС
№
п/п
Материал
подложек
Характерные
признаки
внешнего
вида
Область
преимущественного
применения (для
каких типов ИМС)
Параметры и
характеристики,
определяющие область
применения 
4.    Краткое описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с
эскизами поперечных сечений диффузионного резистора, МДП конденсатора,
планарно-эпитаксиального транзистора, n-канального и р-канального МДП
транзисторов;
5.    Заполненную по результатам анализа форму табл. 1;
6.    Заполненную по результатам анализа форму табл. 2, 3;
7.    Эскизы топологий активных и пассивных элементов в произвольном
масштабе с указанием типа проводимости, названия и размеров областей в
микрометрах;
8.    Результаты расчета удельного поверхностного сопротивления и/или
удельной емкости.
9.    Выводы по работе.

     Лабораторное задание
     Домашняя работа:
1.   Ознакомиться с описанием лабораторной работы;
2.   Изучить описание к лабораторной работе;
3.   Выполнить пп. 1-4 раздела “Требования к отчету”;
4.   Подготовить формы таблиц 1, 2, 3;
5.   Приготовить миллиметровку (2 листа), карандаш и линейку;
6.   Подготовиться к ответам на контрольные вопросы.

                                                       Форма таблицы 1
                   Характеристики и параметры ПИМС
Обозна- Выпол- Способ Количест- Коли- Степень Плот- Приме-
 чение   няемая изоляци      во      чество интегра- ность   чание
микрос- функция    и      внешних элемен- ции, К упаков-
 хемы           элемен- контакт-       тов           ки, КV,
                  тов       ных                       см-3
                микросх площадок
                  емы




                                                            Форма таблицы 2
                              Подложки ГИС
№ Материал Характерные          Область                 Параметры и
п/п подложек признаки      преимущественного           характеристики,
             внешнего       применения (для         определяющие область
               вида        каких типов ИМС)              применения




                                     53

Страницы