Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 54 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

54
Форма таблицы 3
Характеристики и параметры ГИС
№
п/п
Обозначение микро-
схемы
Тип микросхемы Выполняемая
функция
Общее
кол-во
эл-тов
В том числе
пленочные навесные
резисторы
кон-ры конденсаторы
транзисторы
и диоды
крис-
таллы
прочее
Параметры
К ω, 1/мм
2
ω', 1/мм
2
Способ монтажа компонентов
Таблица 3 выполняется на листе формата А4 в альбомной ориентации.
Работа в лаборатории:
1. Изучить подложки ГИС, заполнить графы формы табл. 2.
2. Изучить конструкции ГИС и определить количественные параметры ГИС -
степень интеграции К и интегральную плотность ω, ω’, заполняя табл. 3.
3. Рассмотреть под микроскопом семь образцов полупроводниковых ИМС по
заданному варианту (см. приложение 4), размещенные в кассете 4.
4. Заполнить графы формы табл. 1, используя результаты визуального осмотра,
данные таблицы приложения 4, принципиальные схемы ИМС и результаты расчета
по формулам (см. теоретическое описание).
5. Зарисовать эскизы топологии элементов ИМС, указанных преподавателем, и
произвести оптические измерения размеров отдельных областей ИМС (согласно
задания).
6. Рассчитать удельное поверхностное сопротивление или удельную емкость
указанных пассивных элементов ИМС по формулам (см. теорет. введение),
используя значение параметра из таблицы приложения 4, в соответствии с
заданным вариантом (см. приложение 4) и результатами оптических измерений.
7. Показать преподавателю результаты выполнения работы.
Порядок выполнения работы
1. Изучение подложек ГИС.
В кассете представлены образцы подложек:
• ситалл (СТ 38-1)
• поликор;
• керамика;
• металлическая (титалан); 
                                                               Форма таблицы 3
                        Характеристики и параметры ГИС
    №      Обозначение микро-   Тип микросхемы     Выполняемая         Общее
    п/п          схемы                               функция           кол-во
                                                                       эл-тов



                                      В том числе
      пленочные          навесные          транзисторы       крис-     прочее
                                             и диоды         таллы
резисторы кон-ры       конденсаторы




                       Параметры                     Способ монтажа компонентов
     К           ω, 1/мм2             ω', 1/мм 2




Таблица 3 выполняется на листе формата А4 в альбомной ориентации.

      Работа в лаборатории:
1.    Изучить подложки ГИС, заполнить графы формы табл. 2.
2.    Изучить конструкции ГИС и определить количественные параметры ГИС -
степень интеграции К и интегральную плотность ω, ω’, заполняя табл. 3.
3.    Рассмотреть под микроскопом семь образцов полупроводниковых ИМС по
заданному варианту (см. приложение 4), размещенные в кассете 4.
4.    Заполнить графы формы табл. 1, используя результаты визуального осмотра,
данные таблицы приложения 4, принципиальные схемы ИМС и результаты расчета
по формулам (см. теоретическое описание).
5.    Зарисовать эскизы топологии элементов ИМС, указанных преподавателем, и
произвести оптические измерения размеров отдельных областей ИМС (согласно
задания).
6.    Рассчитать удельное поверхностное сопротивление или удельную емкость
указанных пассивных элементов ИМС по формулам (см. теорет. введение),
используя значение параметра из таблицы приложения 4, в соответствии с
заданным вариантом (см. приложение 4) и результатами оптических измерений.
7.    Показать преподавателю результаты выполнения работы.

          Порядок выполнения работы
1.        Изучение подложек ГИС.
          В кассете представлены образцы подложек:
•         ситалл (СТ 38-1)
•         поликор;
•         керамика;
•         металлическая (титалан);

                                          54

Страницы