Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 56 стр.

начав поиск от внешней контактной площадки кристалла с соответствующим
номером;
•     поиск тестового или вспомогательного элементов (фигур совмещения) ведут
на периферии кристалла или между внешними контактными площадками.
7.    Произвести оптические измерения конструктивных параметров элементов
полупроводниковых микросхем, указанных преподавателем, для чего необходимо:
•     определить цену деления шкалы окуляра микроскопа;
•     поместить в поле зрения микроскопа топологию измеряемого элемента и
произвести отсчет:
      для диффузионного резистора — длины l и ширины b;
      для МДП - конденсатора — длины l0 и ширины b0 верхней обкладки;
      для биполярного транзистора — длины lб и ширины bб базовой области;
      для МДП - транзистора — длины lз и ширины bз затвора;
•     нанести эти размеры в микрометрах на эскизы топологии.
8.    Рассчитать значение удельного поверхностного сопротивления и удельной
емкости, используя значения параметров элементов из приложения 4 и результаты
оптических измерений.
9.    Показать преподавателю результаты выполнения работы.

      Контрольные вопросы
1.    Какими параметрами характеризуются микросхемы?
2.    Как обозначаются микросхемы?
3.    Какие конструкции пленочных резисторов, конденсаторов и индуктивных
элементов вам известны?
4.    Какими параметрами характеризуются пленочные резисторы, конденсаторы
и индуктивные элементы?
5.    Что такое топология интегральной микросхемы?
6.    Дать определение интегральной микросхемы.
7.    Что такое активные и пассивные элементы ИМС?
8.    Дать определение тонкопленочной и толстопленочной микросхемы.
Характерные признаки этих микросхем.
9.    Дать определение гибридной микросхемы. Характерные признаки
гибридных микросхем.
10.   Каким требованиям должны удовлетворять подложки микросхем? Каково
назначение различных типов подложек?
11.   Каким образом реализуется изоляция элементов в микросхемах?
12.   Какими параметрами характеризуются ИМС? Как они определяются?
13.   Дать определение серии ИМС.
14.   Как обозначаются ИМС, каковы основные элементы обозначения?
15.   Указать различие в определениях "плата" и "кристалл". К каким типам ИМС
относятся эти понятия?
16.   Что называется контактной площадкой и корпусом ИМС? Для чего они
предназначены?
17.   На каких исходных данных основывается разработка топологии
интегральных микросхем?
18.   Приведите примеры технологических требований и ограничений ГИС.
19.   Приведите примеры схемотехнических требований и ограничений ГИС.
20.   Приведите примеры конструктивных требований и ограничений ГИС.

                                     56