Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 55 стр.

•     полиимид.
      Запишите характерные признаки внешнего вида подложек (матовая или
зеркальная поверхность, цвет).
      Укажите область применения подложек, параметров и характеристики
подложек, определяющие их применение (ε, tgδ, ТКЛР, λ - коэф. теплоп-ти).
      Результаты анализа занесите в форму таблицы 2.
2.    Изучение конструкций ГИС.
      Внимательно рассмотрите каждую микросхему в кассете.
      Определите тип микросхемы - пленочная или гибридная, тонко- или
толстопленочная.
      По обозначению ИМС определите номер серии. Функциональное назначение
ГИС приведено в Приложении 4.
      Найдите на микросхеме ключ, пассивные, активные, технологические и
конструктивные элементы. Определите количественные параметры ГИС - степень
интеграции К и интегральную плотность ω и ω’. Для расчета используйте данные
Приложения 4.
      Результат занесите в форму таблицы 3.
      Выполните эскиз топологии в варианте, указанном преподавателем и
обозначьте на топологии элементы согласно принципиальной электрической
схемы.
      Топологию выполняйте на миллиметровке формата А4. Найдите на
микросхеме ключ. На топологии он должен находиться в левом нижнем углу
схемы. Выберите масштаб 10:1. Размеры подложки приведены в приложении 4.
Точное соблюдение размеров элементов не требуется.
3.    Подготовиться к изучению семи образцов полупроводниковых микросхем,
размещенных в кассете 4, для чего необходимо занести в форму табл. 1 в порядке
размещения образцов в кассете, выданной преподавателем, обозначение
микросхем, выполняемую функцию и число элементов, используя данные
приложения 4.
4.    Внимательно рассмотреть каждую микросхему под микроскопом и
определить:
•     способ изоляции элементов в микросхеме;
•     количество внешних контактных площадок.
      Примечание:
      а). Контур области изоляции диэлектриком ( контур “кармана” ) имеет вид
темной утолщенной линии, при этом прямые углы в контуре обязательно
закруглены. Вне контура “кармана” на поверхности кристалла наблюдаются
характерные крапинки.
      б). Контур области изоляции p-n-переходом имеет вид тонких темных линий
с прямыми углами без закруглений.
      Результаты выполнения п. 4 занести в форму табл. 1.
5.    Рассчитать значение степени интеграции, плотности упаковки, используя
данные приложения 4, и занести результаты в форму табл. 1.
6.    Зарисовать эскизы топологии пассивных и активных элементов микросхем
по варианту, указанному преподавателем, без соблюдения масштаба с указанием
типа проводимости и названия областей. Для чего необходимо:
•     установить на столик микроскопа необходимую ИМС и, пользуясь ее
принципиальной схемой (приложение 4), найти интересующий элемент топологии,

                                      55