ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
181
ЛЕКЦИЯ 20
ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Укрупненная схема технологического процесса производства ИС эпитак-
сиально-планарной структуры на базе транзисторов n-p-n-типа со скрытым n
+
слоем (не считая выращивания и раскроя слитка кремния на пластины, их шли-
фовку и полировку) можно представить с помощью таких технологических
операций:
1. Окисление пластин кремния p-типа;
2. Первая литография на SiO
2
;
3. Диффузия n
+
- примеси;
4. Снятие окисла, эпитаксия n-слоя;
5. Окисление;
6. Вторая литография на SiO
2
;
7. Разделительная диффузия p-примеси;
8. Окисление;
9. Третья литография на SiO
2
;
10. Базовая диффузия p-примеси;
11. Окисление
12. 4-ая литография на SiO
2
;
13. Эмиттерная диффузия n-типа;
14. Окисление;
15. 5-ая литография на SiO
2
;
16. Металлизация;
17. 5-ая литография (на металле);
18. Вытравливание контактов;
19. Зондовый контроль ИС на пластине;
20. Скрайбирование, ломка пластины, отбраковка;
21. Монтаж кристалла в корпус;
22. Монтаж выводов;
23. Герметизация;
24. Контроль функциональных параметров, отбраковка;
25. Испытания ИС.
1÷20 операции – это групповая обработка.
21÷25 операции – индивидуальная обработка.
Отдельные этапы процесса
(фотолитография, диффузия, контроль и испы-
тания) состоят из 3÷10) операций.
Общее число операций изготовления монолитных ИС (без учета заготови-
тельного этапа получения пластин) свыше 100.
Продолжительность полного цикла обработки около 100 часов.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 179
- 180
- 181
- 182
- 183
- …
- следующая ›
- последняя »
