ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
183
Таблица 20.2.
Параметры Номинальное зна-
чение
Допуск, %
1.Поверхностное сопротивление, Ом
а) Эпитаксиального слоя 150 ±15
б) Диффузионной базы 200 ±10
с) Диффузионного эмиттера 2,5 ±30
2. Отношение сопротивлений резисторов
R
1
/R
2
±5
3. Коэффициент усиления по току, β 70 ±50
4. Напряжение пробоя перехода, В
а) коллектор-подложка 80 ±25
б) коллектор-база 45 ±30
в) эмиттер-база 6,7 ±3
5. Напряжение насыщения коллектора при малом
токе, В
0,4 ±25
Процесс производства ИС должен обладать высокой эффективностью, под
которой следует понимать высокое качество (высокий процент выхода годных
ИС) и низкую трудоемкость.
Для обеспечения высокой эффективности производства необходимо со-
блюдение ряда принципов:
Важнейшим является принцип технологической совместимости
элементов
ИС с наиболее сложным элементом, обычно транзистором.
Структура элементов (диодов, резисторов, конденсаторов) должна содер-
жать только те области, на основе которых построен транзистор.
Поэтому технологическое проектирование изготовления кристалла ИС
строится с учетом лишь структуры транзистора, а остальные элементы форми-
руются попутно.
Примером нарушения этого принципа является использование МДП-
конденсатора
в ИС с биполярными транзисторами, т. к. такой транзистор тре-
бует ряда дополнительных операций, связанных с получением диэлектрика
расчетной толщины.
В тоже время МДП-транзистор технологически совмещается с униполяр-
ным транзистором в МДП ИС.
В биполярных структурах в качестве конденсатора может быть использо-
ван обратно смещенный p-n-переход.
Т.о. характер и
последовательность операций обработки кристалла должны
полностью определяться структурой транзистора.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 181
- 182
- 183
- 184
- 185
- …
- следующая ›
- последняя »
