ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
185
и этап специальной (избирательной) обработки, в результате которой микро-
схема приобретает определенные функциональные свойства.
Развитие этого принципа предполагает использование так называемого ба-
зового кристалла (платины), представляющего собой заготовку, в которой
сформирован универсальный набор элементов (с избыточностью).
Специальная обработка заключается в получении определенного рисунка
межсоединений в соответствии с функциональными свойствами микросхемы
данного
типа. Высокая чистота технологических сред, в которых осуществляет-
ся обработка, является общим требованием радиоэлектронного производства.
В производстве же ИС это требование приобретает принципиальное значе-
ние, перерастая в принцип высокой чистоты производства в целом.
Этот принцип предполагает использование материалов, практически не со-
держащих посторонних примесей, причем количество сознательно вводимых
примесей должно
быть строго регламентировано.
Требования к чистоте газов, используемых в процессах эпитаксии, диффу-
зии и пассивации сведены в таблице 20.3.
Таблица 20.3.
Содержание примесей, % объёма. (не более) Примесь
в N в Ar в O в H
О
2
0,0005 0,0005 --- 0,00001
Н
2
0,001 0,001 0,001 ---
Н
2
О
Точка росы – 65
о
С Точка росы
– +75
о
С
Содержание пылевых частиц не более 2÷3 в 1 л. газа при размере частиц не
более 0,7 мкм.
Столь жесткие требования обусловлены очень высокой чувствительностью
монокристаллического кремния к инородным атомам или ионам, наличие кото-
рых влияет на его свойства и обуславливает неисправный брак ИС.
Чем выше степень интеграции (чем больше элементов содержит ИС), тем
«
чувствительней» она к качеству выполнения операций, тем ниже процент вы-
хода годный ИС.
В связи с этим большое значение приобретают операции отмывки пластин,
т. е. полного удаления следов реактивов, остающихся от предыдущей обработ-
ки. Применяемая при этом вода (сверхчистая) не должна оставлять на поверх-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 183
- 184
- 185
- 186
- 187
- …
- следующая ›
- последняя »
