ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
186
ности ионы растворенных в ней загрязнений, для чего воду подвергают процес-
сам деионизации (обессоливания).
Изложенное требование целиком относиться к заготовительному циклу об-
работки – очистки исходного материала, легированию и выращиванию моно-
кристалла, резке слитка, шлифовке, полировке и пассивации пластин.
Так, из-за недостаточно тщательной очистка поверхности перед пассива-
цией (окислением) кремния образуются
дефекты в окисной пленке (поры,
включения и т. п.), что приводит к браку в процессе фотолитографии и диффу-
зии.
Высокая плотность дефектов в окисной пленке и в исходном кремнии за-
трудняет внедрение в производство БИС, в которых используются кристаллы
большей площади, чем в обычных ИС. Недостаточная чистота процесса обра-
ботки,
кроме брака, приводит к быстрой деградации ИС на этапе их функцио-
нирования. Чистота процессов сборки и обработки обеспечивается и соответст-
вующей чистотой окружающей рабочей атмосферы, под которой понимают
минимальную запыленность воздуха.
В зависимости от допустимой запыленности производственные помещения
делят на 5 классов.
Предельная допустимая запыленность атмосферы производственного по-
мещения (по ОСТ 11.ПО
.050.001) сведена в таблице 20.4.
Таблица 20.4.
Класс чистоты атмосферы помеще-
ния как рабочего объема
Допустимое содержание частиц размером
не более 0,5 мкм в 1 л. воздуха
1 4
2 35
3 350
4 3500
5 По санитарным нормам (СН 245-71)
В помещениях 3-го и 4-го классов чистоты выполняют резку слитков полу-
проводникового материала, исследуют его физические свойства и надежность
ИС.
В помещениях 2-го класса чистоты осуществляют химическую обработку
пластин, обработку ИС, контроль электрических параметров, шлифовку и по-
лировку пластин, изготовление фотошаблонов.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 184
- 185
- 186
- 187
- 188
- …
- следующая ›
- последняя »
