ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
182
Цикл групповых процессов обработки ИС заканчивается получением меж-
соединений – металлических проводников на поверхности кристалла.
Контроль параметров отдельных элементов на предшествующих этапах
производства чрезвычайно сложен и экономически не выгоден.
Целесообразнее сохранять дефектные кристаллы в пластине до конца
групповой обработки, а отбраковку выполнять после выполнения межсоедине-
ний путем комплексной проверки ИС на функционирование
(на работоспособ-
ность).
Однако специальный анализ брака ИС на отдельных этапах представляет
большой интерес с точки зрения выявления узких мест производства. Для этого
используют кристаллы-свидетели.
В нижеприведенной таблице 20.1. (построенной с помощью кристаллов-
свидетелей) результат анализа распределения брака выявил, что на индивиду-
альную обработку поступает лишь около половины кристаллов.
Выход годных монолитных ИС. Таблица 20.1.
Наименование этапа процесса Процент
брака
Выход годных
на отдельных
этапах, %
Общий
выход
годных,
%
1. Разделительная диффузия 5 95 95
2. Диффузия базы 10 90 86
3. Диффузия эмиттера 15 85 72
4. Образование межсоединений 10 90 65
5. Контроль на функционирование 25 75 49
6. Скрайбирование 15 85 42
7. Монтаж выводов 15 85 35
8. Герметизация 5 95 34
9. Окончательные испытания 25 75 25
Окончательный процент выхода годных ИС свидетельствует о том, что в
производство следует запускать в 4 раза больше схем, чем это требуется по
плану. Точность выходных характеристик ИС непосредственно зависит от точ-
ности электрофизических параметров диффузионных областей.
Поэтому важным является межоперационный контроль в процессе диффу-
зии (обычно с помощью пластин-свидетелей).
Типичные для
эпитаксиально-планарных ИС параметры и допуски приве-
дены в таблице 20.2.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 180
- 181
- 182
- 183
- 184
- …
- следующая ›
- последняя »
