ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
195
система содержит независимые каналы подачи: азота (5) для продувки системы;
водорода (6), основного транспортного газа; силана (7), источника атомов
кремния и/или диффузанта (8), обеспечивающего необходимое легирование
выращиваемого слоя.
1
2
3
4
56 7
8
11 9
10
Рис. 21.3.
Необходимая концентрация вещества в зоне реакции обеспечивается пре-
цизионным регулированием расхода газов. Для создания вакуума в системе
имеется форвакуумный насос (9). Продукты реакции нейтрализуются в скруб-
бере (10). Управляемый источник питания (11) обеспечивает подвод необходи-
мой мощности. Управление режимами работы осуществляет микропроцессор-
ная система (12).
Примером установки эпитаксиального наращивания с ИК-нагревом явля-
ется УНЭС
типа «02 ЭИК-100-003», предназначенная для получения слоев на
основе реакции
2Н
2
+SiCl
4
→120 ˚С→Si+4HCl.
В состав установки входят: агрегат нанесения слоев, состоящий из верти-
кального кварцевого реактора, графитового пьедистала с приводом, обеспечи-
вающим его вращение, подъем и опускание; шкаф газораспределения с источ-
никами необходимых материалов и системами стабилизации расходов; шкаф
питания; блок пылезащиты; пульт управления, содержащий микро-ЭВМ, уст-
ройство
связи и дисплей.
Анализ различных видов оборудования, применяемого в производстве
ИМС, позволяет выделить в его составе типичные функциональные подсисте-
мы (см. табл. 21.1).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 193
- 194
- 195
- 196
- 197
- …
- следующая ›
- последняя »
