Технология и автоматизация производства электронной аппаратуры. Скубилин М.Д - 194 стр.

UptoLike

194
В отечественной промышленности применяются установки типа «Везувий»,
в этой установке для получения пучка ионов используется последовательное
ускорение ионов с их сепарацией по количеству энергии, что обеспечивает од-
нородность пучка.
При изготовлении ИМС тонкий слой материалов используется как в каче-
стве элементов транзисторов и схем, так и в технологических целях. К первому
направлению относятся выращивание эпитаксиальных
слоев, получение метал-
лических слоев для разводки и контактных площадок схем, защиты (пассивная)
схем от внешних воздействий.
Второе направление связано с получением маскирующих слоев для опера-
ций литографии и диффузии. Эти слои после выполнения операции частично
или полностью уничтожаютсястравливаются.
Различное назначение слоев, разнообразие используемых материалов, оп-
ределяют различные требования
к технологическим процессам и оборудова-
нию.
Общими требованиями, предъявляемыми к слоям, являются: однородность
и повторяемость свойств слоев; отсутствие в слоях локальных нарушений, про-
колов и др. дефектов; высокая адгезия слоев и четкость их границ.
Эпитаксиальный слой выращивают на поверхности Si пластины с целью
получения на ней двух видов проводимости. Обычно на
низкоомной подложке
с удельным сопротивлением 0,010÷0,001 ом×см выращивается слой толщиной
10÷20 мкм и сопротивлением 1÷5 ом×см. при получении эпитаксиального
слоя используются прямые методы, основанные на перемещении вещества от
источника к подложке, без химических реакций, и косвенные, при которых на
поверхности подложки происходит реакция с осаждением материала.
Наибольшее распространение получил хлоридный
метод, выполняемый по
схеме «открытой трубы» (см. рис. 21.3) установка состоит из кварцевого реак-
тора (1), вокруг которого расположен нагреватель (2). При эпитаксиальном на-
ращивании используются источники либо ВЧ-, либо ИК-нагрева. В установках
с ВЧ-нагревом подложки (3) помещают на графитовый пьедестал (4). Газовая