Технология и автоматизация производства электронной аппаратуры. Скубилин М.Д - 200 стр.

UptoLike

200
При этом операции характеризуются:
1) с использованием фотошаблонов;
2) с использованием фоторезистов;
3) «мокрым» процессом;
4) «сухим» процессом;
5) с применением вакуумного оборудования;
6) с возможностью управления от ЭВМ;
7) с применением высоковольтных источников питания;
8) с применением специальной оптики.
Теоретически возможная разрешающая способность того или иного метода
с определенной характеристикой колеблется от 0,02 до 5,00 мкм, тогда как
практически достигнута разрешающая способность в 0,1÷5,00 мкм. Воспроиз-
веденное пленкой резиста изображение топологии (рисунка) схемы переносит-
ся на соответствующую подложку одним из методов:
1) химического травления;
2) ионного травления;
3) химическим осаждением;
4) электрохимическим осаждением.
Процесс селективного
травления материалов является завершением фор-
мирования элементов схем. Он оказывает решающее влияние на электрические
параметры и выход годных изделий.
Требования, предъявляемые к этому процессу состоят в следующем:
1) минимальное искажение геометрии элементов ИС;
2) полное удаление материала с не защищаемого фоторезистом участка ИС и
полное удаление продуктов реакции на последующих этапах;
3) возможность управления процессом;
4) высокая селективность воздействия травителей, т. е. возможно меньшее их
взаимодействие с материалами системы, не подлежащими травлению.
Конечный результат травления определяется во многом:
1) предысторией формирования защитной маски из фоторезиста;
2) его адгезией к подложке;
3) геометрией элементов;
4)клином травления.
Кроме того, протекание процесса травления геометрические размеры обра-
зующих
элементов и клин травления будут определяться типом выбранного
травителя, температурой травителя, типом материала (например, наличием в