ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
201
нем легирующих примесей) и кинетикой травления по глубине материала, а
также смачивыаемостью травителем поверхности материалов, входящих в со-
став структуры, толщиной пленок материалов и отклонением по толщине.
Более перспективным считается плазменное травление. Оно имеет ряд
преимуществ по сравнению с химическим травлением. Плазменное травление
обеспечивает меньшую дефектность фоторезиста и более высокую разрешаю
-
щую способность процесса. Кроме того, при плазменном травлении использу-
ются экологически безвредные газы, значительно сокращается число операций
и продолжительность процесса, а также допустимо применение универсального
оборудования для травления любых пленок (диэлектрики, полупроводники, ме-
таллы). Но при плазменном травлении имеют место трудности подбора соот-
ветствующей маски, т. к. 90 % энергии падающего
пучка ионов расходуется на
разогрев подложки и фоторезиста, а фоторезист при воздействии температуры
и облучения проходит дальнейшую полимеризацию, распыляется, изменяет
свои размеры и повышается его связь с поверхностью структуры, что затрудня-
ет его удаление после обработки.
Качество маски для плазмохимического травления (ПХТ) определяется
стойкостью фотослоя при травлении по всей площадке кристалла
и уходом ли-
нейных размеров элементов будущей ИС.
Известные фоторезистивные материалы, применяемые в ПХТ, типа ФП-
617, ФП-626, ФП-РН-7-2, ФП-25 обладают повышенной чувствительностью к
плазме по сравнению с фоторезистами, например ФП-РН-7-2 при химическом
травлении.
В зарубежной технологии производства ИС находят применение для ПХТ
фоторезисты типа AZ-1350.
этот резист стоек при ПХТ без термообработки по-
сле травления, имеет толщину пленки 0,5 мкм, использует травитель – газ
CF
4
+O
2
при давлении Р=65±25 Па.
Более высокой стойкостью обладают фоторезисты на основе термостати-
ческих смол – ацетонофенолформальдегидных, циклогексаноформальдегидных
и др. смол.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 199
- 200
- 201
- 202
- 203
- …
- следующая ›
- последняя »
