ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
202
Т. о., интеграция изготовления ИС по «сухой» технологии ограничивается
в основном фотолитографией. На данном отрезке времени ведутся исследова-
ния о разработке фоторезистов для ионно-лазерной технологии. Эти резисты
должны удовлетворять следующим требованиям:
1) наноситься в вакууме слоем пленки в 0,5÷1,0 мкм на п/п, стеклянную
или другую поверхность ИС;
2) слой этого резиста
должен защищать подложку от ионов высокой,
W>10
4
эВ, энергии;
3) дефектность слоя резиста не должна превышать 0,5 см
-2
;
4) резист должен быть устойчив к фреоновой и аргоновой плазме ионов с
энергией W≈2 кэВ в течение >30 мин;
5) слой резиста должен на 100 % удаляться с подложки под воздействием
кислородной плазмы и лазерного облучения;
6) фоторезист должен обладать разрешающей способностью не хуже 1
мкм;
7) фоторезист не должен изменять свои свойства в обеспыленной
атмосфе-
ре при относительной влажности до 50 % и температуре Т≈+220÷+330 K в тече-
ние 10 ч.
Ведутся также работы по вакуумной лазерной литографии, обеспечиваю-
щей перенос изображения фотошаблона на п/п пластину в вакууме и по совме-
щению нескольких фотошаблонов. При этом лазер на рубиде должен обеспечи-
вать λ=0,69 мкм в
режиме непрерывной генерации и модулируемой добротно-
сти.
В принципе, возможны следующие дефекты фоторезиста:
1) включения типа «сыпи»;
2) локальные разрывы;
3) неравномерность по толщине;
4) непостоянство стойкости резиста (по площади) к проявителю;
5) локальные искажения геометрии элементов изображения рисунка в про-
цессе термообработки;
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 200
- 201
- 202
- 203
- 204
- …
- следующая ›
- последняя »
