Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

55
где Н – экспозиция (доза облучения); Е – освещенность; t – время экспонирова-
ния. Зная светочувствительность фоторезиста и освещенность в
месте нахож-
дения подложки, можно определить примерное время экспонирования для дан-
ного типа фоторезиста.
Разрешающая способность фоторезиста определяется числом линий рав-
ной толщины, которые могут быть получены без слияния на 1 мм поверхности
подложки в результате проведения процесса фотолитографии. Предельное зна-
чение разрешающей способности определяется размерами полимерных моле-
кул фоторезиста. На разрешающую способность оказывают существенное
влияние как процессы экспонирования и связанные с ними оптические явления
в системе «фотошаблон – фоторезист − подложка», так и
процессы проявления
и сушки. К оптическим явлениям, оказывающим влияние на разрешающую
способность фоторезистов, следует отнести дифракцию света на границе фото-
шаблон – фоторезист, отражение света от
поверхности подложки и рассеяние
света в слое фоторезиста.
Стабильность геометрических размеров элементов рельефа рисунка
в
слое фоторезиста в сильной степени зависит от проведения процессов прояв-
ления и сушки. Перепроявление приводит к увеличению размеров элементов
(особенно для позитивных фоторезистов), а неоптимальные режимы сушки мо-
гут приводить к короблению слоя фоторезиста и его отслаиванию.
Под кислотостойкостью фоторезистов понимают способность фоторези-
стивного слоя после экспонирования, проявления и сушки селективно защи-
щать поверхность подложки от воздействия кислотных и щелочных травителей.
Критерием кислотостойкости является время, в течение которого травитель
воздействует на фоторезистивный слой до начала его разрушения или отслаи-
вания, а также качество полученных структур в подложке после травления. Ки-
слотостойкость фоторезистов часто характеризуют плотностью дефектов (ко-
личеством дефектов на единице поверхности), передающихся на
подложку при
травлении ее поверхности, покрытой маской из фоторезиста.
Рентгенолитография
На разрешающую способность фоторезистов оказывают влияние различ-
ные факторы, а именно, дифракция света на рисунке фотошаблона, рассеяние
света в фоторезисте, расходимость светового пучка, многократное отражение
света от поверхности подложки и фотошаблона, набухание фоторезиста при
проявлении и его последующая усадка при сушке, неточность совмещения ре-
перных знаков фотошаблона и подложки и так далее. Влияние большинства из
этих факторов можно свести к минимуму. Но есть один принципиально не уст-
ранимый фактор – это дифракция света. Дифракция света ограничивает полу-
чение минимальных размеров элементов величиной, примерно равной полови-
не длины используемого ультрафиолетового излучения. Оценки показывают,
что при использовании ультрафиолетового излучения с длиной волны 0,4 мкм
минимальные размеры элементов имеют значение приблизительно 0,25 мкм.

Страницы