Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 59 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

59
ность фотолитографии, в данном методе не имеют сколько-нибудь существен-
ного значения.
Другим важным преимуществом электронолитографии является большая
глубина резкости передаваемого изображения. Поэтому практически
не
происходит искажение рисунка микросхемы при увеличении глубины рель-
ефа многослойных структур и неплоскостности поверхности подложки.
Существуют три основные области применения электронолитографии:
изготовление эталонных фотошаблонов с размерами элементов более 2 мкм;
изготовление микросхем большой степени интеграции с размерами элементов
менее 1 мкм путем непосредственной микрогравировки; изготовление высоко-
точных фотошаблонов для рентгено- и фотолитографии глубокого ультрафио-
лета.
В зависимости от способа обработки слоя электронорезиста существуют
две разновидности электронолитографии: сканирующая и проекционная.
В
первом случае электронный луч, управляемый компьютером, перемещается
заданным образом по поверхности подложки с нанесенным на ней слоем рези-
ста. Во втором случае экспонирование резистивного слоя осуществляется через
маску.
В сканирующей электронолитографии обработка поверхности осуществ-
ляется остросфокусированным лучом. Обеспечить одинаково хорошую фоку-
сировку луча для всей поверхности пластины большого диаметра практически
невозможно. Поэтому применяют пошаговое экспонирование, когда электрон-
ный луч по очереди вычерчивает рисунки отдельных схем на пластине. После
экспонирования очередного участка (кадра) рабочий стол с пластиной переме-
щается, производится автоматическое совмещение начального положения луча
с пластиной и экспонируется очередной кадр. Совмещение осуществляется с
точностью на уровне 0,1 мкм путем регистрации вторичных электронов, испус-
каемых металлическими метками совмещения на пластине при попадании на
них электронного луча.
Сканирование луча может быть растровым или векторным.
При
растровом сканировании луч перемещается по поверхности строчка
за
строчкой, включаясь и выключаясь в нужные моменты времени.
При
векторном сканировании электронный луч прорисовывает элемент
за
элементом, выключаясь лишь при переходе от одного элемента к другому.
Разрешающая способность находится на уровне 0,1 − 0,2 мкм. Она огра-
ничена диаметром электронного луча и эффектами, обусловленными рассеяни-
ем электронов в слое резиста. Уменьшению диаметра электронного луча меша-
ет кулоновское взаимодействие электронов в пучке. Малый диаметр может
быть получен лишь при малом токе, а это увеличивает время экспонирования и
снижает производительность. Например, при диаметре пластины 100 мм время
ее экспонирования составляет более 500 мин.
Эффекты рассеяния электронов в слое резиста также являются серьезной
проблемой в электронолитографии. Падающий электронный луч претерпевает

Страницы