ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
60
некоторое рассеяние в слое резиста и попадает в кремний, создавая поток вто-
ричных электронов. Вторичные электроны входят в слой резиста с нижней сто-
роны и попадают в участки, прилегающие к экспонируемым. Все это приводит
к «размытию» рисунка, который вычерчивается электронным лучом.
Эффективным способом уменьшить негативное влияние эффектов рас-
сеяния является увеличение энергии падающих на резистивный слой электро-
нов. Кроме этого, используют метод формирования многослойного резиста, при
котором на слой резиста, контактирующего с поверхностью подложки, нано-
сится тонкий промежуточный слой, препятствующий рассеянию электронов, а
на него − слой рабочего электронорезиста.
В проекционной электронолитографии используют шаблоны из тонких
мембран, которые прозрачны для электронов и служат основой для формирова-
ния на них соответствующих масок. Материал мембраны должен обеспечивать
прохождение электронов с минимальным рассеянием и обладать необходимой
механической прочностью. В качестве мембран для масок используют в основ-
ном кремний и его соединения, а в качестве маскирующих покрытий – золото,
платину и некоторые другие металлы.
Шаблон для проекционной электро-
нолитографии можно сформировать непо-
средственно на фотокатоде, эмитирующем
поток электронов под воздействием облу-
чения его ультрафиолетом. На рис. 3.17
изображена упрощенная схема установки
для проекционной электронолитографии.
На
рисунке обозначены: 1 – кварцевое
стекло; 2 – металлическая маска, непро-
зрачная для ультрафиолета;
3 − фоточувствительный слой; 4 – слой
электронорезиста; 5 – подложка; 6 –
подложкодержатель; 7 – соленоид.
Воздействие ультрафиолета
на
фоточувствительный слой вызывает эмиссию электронов с участков шабло-
на, не покрытых маской. Электроны ускоряются электрическим полем
и
экспонируют резистивный слой, нанесенный на поверхность подложки,
в
качестве которой обычно используют кремниевую пластину. Так осуществ-
ляется перенос рисунка маски на резистивный слой. Чтобы исключить расхо-
димость электронного пучка, вызывающую искажение рисунка, шаблон
с
подложкой помещают в соленоид, создающий продольное магнитное поле.
Ионно-лучевая литография
В основе ионно-лучевой литографии лежат эффекты, возникающие
при
взаимодействии пучка ускоренных ионов с поверхностью подложки,
в
качестве которой могут выступать пластина кремния, слои оксида или нитри-
Рис.
3.17. Схема установки для проек-
ционной электронолитографии
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 58
- 59
- 60
- 61
- 62
- …
- следующая ›
- последняя »
