ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
62
термического окисления. Проведя окисление и удалив затем слой оксида путем
травления, можно получить маску, соответствующую негативному изображе-
нию рисунка топологического слоя. Если вместо ионов кремния использовать
ионы азота, то возникнет обратный эффект. Облученная ионами азота поверх-
ность кремния будет иметь пониженную скорость термического окисления. Это
дает возможность формировать позитивный рисунок топологического слоя.
Воздействие пучка ионов на металлические пленки из Ni или Mo
(рис. 3.19 в) повышает скорость травления облученных участков. Таким спосо-
бом можно сформировать маску из металлической пленки и перенести ее
на
нижележащий слой (например, оксид кремния). Следует отметить, что разре-
шающая способность ионно-лучевой литографии по своей природе очень высо-
ка, поскольку вторичные электроны, выбиваемые ионным пучком в
подложке,
имеют малую энергию и, соответственно, малый пробег.
Кроме сканирования ионного пучка по поверхности подложки заданным
образом под управлением компьютера, возможно экспонирование поверхности
подложки через шаблон. Серьезной проблемой такого проекционного метода
ионно-лучевой литографии является изготовление шаблона, так как проникаю-
щая способность ионов очень мала. Шаблон может быть изготовлен на основе
тонких мембран из кремния. Схема установки для проекционной ионно-
лучевой литографии представлена на рис. 3.20.
На поверхности кремниевой пластины с
ориентацией (110) формируется рисунок из тонкой
пленки золота с
адгезионным подслоем из хрома.
Травлением обратной стороны пластины форми-
руется тонкая мембрана толщиной 3 − 6 мкм. Если
пучок ионов совпадает с кристаллографическим
направлением (110), то за счет эффекта каналиро-
вания ионы способны пройти через мембрану и
экспонировать резистивный слой, нанесенный на
подложку. Однако часть ионов, падающих на тон-
кую пленку золота, испытывают рассеяние и вхо-
дят в кремниевую мембрану под углом, исклю-
чающим эффект каналирования. Таким образом,
через участки мембраны, покрытые золотой пленкой, ионы не пройдут.
Тем
самым осуществляется избирательность экспонирования резистивного
слоя на подложке.
Голографическая литография
Суть метода голографической литографии заключается в том, что
на
поверхности подложки с нанесенным на ней слоем фоторезиста формирует-
ся интерференционная картина, образующаяся в результате наложения двух ко-
герентных волн оптического или рентгеновского диапазона. После экспониро-
вания, проявления и последующей обработки резистивной маски на поверхно-
Рис.
3.20.Схема проекционной
ионно-лучевой литографии
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 60
- 61
- 62
- 63
- 64
- …
- следующая ›
- последняя »
