ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
63
сти подложки получается рисунок топо-
логического слоя, имеющий периодиче-
скую или квазипериодическую структу-
ру.
Пусть на поверхность подложки,
покрытую слоем фоторезиста, падают
две встречные плоские световые волны
Е
1
и Е
2
, излучаемые парой когерентных
источников, например, двумя лазерами
(рис. 3.21). Углы падения обеих волн, от-
считываемые от нормали к
поверхности
одинаковы и равны ϕ. Будем считать, что
амплитуды и начальные фазы обеих волн одинаковы.
В результате интерференции двух волн распределение интенсивности I(x)
по поверхности подложки в направлении оси х будет определяться выражением
где А – амплитуда волны; k – волновое число, определяемое соотношением
где λ − длина волны.
Из выражения (3.27) видно, что распределение интенсивности света
по поверхности подложки имеет периодический характер. Максимумы интен-
сивности определяются из условия
Расстояние между соседними максимумами L определяется выражением
При ϕ → 90° величина L стремится к λ/2. Учитывая, что показатель пре-
ломления фоторезиста отличен от единицы (n ≈ 1,6), правую часть выражения
(3.28) необходимо разделить на n.
Таким образом, голографическая литография позволяет получать перио-
дические структуры с периодом около λ/2. При использовании видимого света
было получено разрешение на уровне 10
3
линий/мм. Если для получения
интерференционной картины используется синхротронное рентгеновское излу-
чение от разных сегментов орбиты электронов, то можно получить разрешение
на уровне 1,5⋅10
5
линий/мм. Полученные таким способом решетки находят
применение в качестве дифракционных или фокусирующих элементов для
Рис.3.21. Формирование маски
в голографической литографии
(
)
(
)
(
)
(3.27) ,sin2kxcos1
2
2AxI ϕ⋅+=
,
λ
2π
k =
2...).
1,
0,
(m
m
π
2
sin
2kx
=
=
ϕ
⋅
(3.28) .
2sin
λ
sin
λ
2π
π
sin2k
2π
L
ϕ
=
ϕ
=
ϕ⋅
=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- …
- следующая ›
- последняя »
