Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

61
да кремния, а также тонкие металлические пленки (Ni, Mo, Al, Au). Если при
фотолитографии и рентгенолитографии необходим как шаблон, так и
резист, а
при электронолитографии можно обойтись без шаблона, то ионно-лучевая ли-
тография позволяет получать изображение топологического слоя
на
поверхности подложки как без шаблона, так и без резистивного слоя. В этом
случае изображение формируется непосредственной микрогравировкой, то есть
вычерчиванием ионным лучом рисунка
на поверхности подложки.
Так, например, воздействие пучка
ионов водорода (протонов) на слой SiO
2
приводит к возникновению радиацион-
ных дефектов, способствующих ускорен-
ному жидкостному травлению облучен-
ных участков в определенных травите-
лях. Зависимость увеличения скорости
травления К от дозы ионного пучка Q
представлена на рис. 3.18. Данная зави-
симость имеет пороговое значение дозы пучка ионов, ниже которого эффект
увеличения скорости травления не
проявляется. При дозах, превышающих
примерно 2⋅10
17
см
-2
, увеличение скорости травления принимает постоянное
значение (около 5). Данный эффект может быть использован для формирования
маски из оксидного слоя на поверхности кремниевой пластины. Последова-
тельность операций формирования маски изображена на рис. 3.19а.
Вначале пучком легких ионов водорода, дейтерия или гелия избиратель-
но облучаются участки оксидного слоя кремния, после чего производится трав-
ление поверхности подложки. В результате облученные участки стравливаются,
а необлученные остаются на поверхности, тем самым образуется маска, которая
может быть использована для последующей обработки поверхности подложки.
Если поверхность кремниевой пластины обработать пучком ионов крем-
ния (рис. 3.19б), то облученные участки будут иметь повышенную скорость
Рис.
3.18. Зависимость увеличения
скорости травления от дозы ионов
Рис.3.19. Процессы формирования масок с помощью ионно-лучевой
литографии в слое SiO
2
(а), кремнии (б) и металлической пленке (в)

Страницы