Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 77 стр.

UptoLike

Составители: 

77
где
ϕ
угол
между
нормалью
к
поверхности
«
точечного
»
испарителя
и
радиус
-
вектором
,
проведенным
от
испарителя
к
подложке
; θ
угол
между
нормалью
к
подложке
и
направ
-
лением
распространения
молекул
испарен
-
ного
вещества
.
На
рис
. 4.2
показано
взаим
-
ное
расположение
«
точечного
»
испарителя
и
подложки
.
Цифрами
1, 2
и
3
обозначены
ти
-
гель
с
испаряемым
веществом
,
кожух
испа
-
рителя
и
подложка
.
Примером
«
точечного
»
испарителя
может
служить
капля
расплава
,
образующая
-
ся
в
результате
воздействия
сфокусирован
-
ного
электронного
луча
на
распыляемой
мишени
.
Другой
пример
испарение
из
тигля
через
круглую
диафрагму
малых
размеров
в
крышке
испарителя
(
ячейка
Кнудсена
).
По
мере
испарения
вещества
интенсивность
потока
и
диаграмма
направ
-
ленности
для
большинства
типов
испарителей
постепенно
меняются
.
В
этих
ус
-
ловиях
последовательная
обработка
неподвижных
подложек
приводит
к
раз
-
бросу
в
значениях
параметров
пленки
в
пределах
партии
,
обработанной
за
один
вакуумный
цикл
.
Для
повышения
воспроизводимости
подложки
устанавлива
-
ются
на
вращающийся
диск
-
карусель
.
При
вращении
карусели
подложки
по
-
очередно
и
многократно
проходят
над
испарителем
,
за
счет
чего
нивелируются
условия
осаждения
для
каждой
подложки
и
устраняется
влияние
временной
не
-
стабильности
испарителя
.
Влияние плотности потока и температуры подложки
на структуру и свойства осаждаемых пленок
Третьей
стадией
процесса
напыления
тонких
пленок
является
стадия
кон
-
денсации
атомов
и
молекул
вещества
на
поверхности
подложки
.
Эту
стадию
условно
можно
разбить
на
два
этапа
:
начальный
этап
от
момента
адсорбции
первых
атомов
(
молекул
)
на
подложку
до
момента
образования
сплошного
по
-
крытия
,
и
завершающий
этап
,
на
котором
происходит
гомогенный
рост
пленки
до
заданной
толщины
.
Условия
,
в
которых
протекает
начальный
этап
,
имеют
определяющее
зна
-
чение
для
структуры
полученной
пленки
,
прочности
ее
сцепления
с
подложкой
,
времени
формирования
пленки
.
Поэтому
изучение
явлений
,
происходящих
на
подложке
в
начальный
период
,
имеет
большое
практическое
значение
.
По
-
скольку
математическое
описание
явлений
,
сопровождающих
начальный
этап
формирования
пленки
,
носит
приближенный
и
неполный
характер
,
рассмотрим
лишь
качественную
картину
этих
явлений
.
Атомы
испаренного
вещества
подлетают
к
подложке
с
довольно
большой
скоростью
порядка
сотен
и
тысяч
метров
в
секунду
.
При
столкновении
Рис.
4.2. Схема расположения «то-
чечного» испарителя и подложки