ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
78
с
подложкой
атом
передает
ей
часть
энергии
,
причем
доля
этой
энергии
тем
меньше
,
чем
выше
температура
подложки
.
Обладая
некоторым
избытком
энергии
,
атом
вещества
некоторое
время
мигрирует
по
поверхности
подложки
,
теряя
постепенно
энергию
и
стремясь
к
тепловому
равновесию
с
подложкой
,
то
есть
переходит
в
адсорбированное
состояние
.
При
отсутствии
химического
взаимодействия
атомов
вещества
с
материалом
подложки
(
физическая
адсорбция
)
энергия
связи
определяется
силами
Ван
-
дер
-
Ваальса
и
имеет
значение
порядка
0,01 − 0,1
эВ
.
В
зависимости
от
потенциального
рельефа
,
образованного
поверхностными
атомами
подлож
-
ки
,
адсорбированный
атом
может
,
потеряв
значительную
часть
избыточной
энергии
,
закрепиться
на
подложке
(
сконденсироваться
).
Однако
вероятность
такого
процесса
для
одиночного
атома
очень
невелика
.
Значительный
избыток
энергии
адсорбированного
атома
и
длительная
миграция
по
подложке
приводят
к
тому
,
что
он
с
большой
вероятностью
десорбируется
(
реиспарится
),
то
есть
покинет
поверхность
подложки
.
Если
подложка
нагрета
,
а
плотность
атомного
потока
небольшая
,
практически
исключающая
взаимодействие
атомов
вещества
на
подложке
,
то
наступает
равновесное
состояние
,
при
котором
поток
падаю
-
щих
на
поверхность
атомов
равен
потоку
десорбированных
атомов
.
Конденса
-
ции
вещества
на
подложке
при
этом
практически
не
происходит
.
Конденсация
вещества
может
начаться
при
пересыщении
пара
на
подложке
.
Если
плотность
потока
высока
или
температура
подложки
низка
,
то
вероятность
вторичного
испарения
уменьшается
,
а
вероятность
встречи
ато
-
мов
друг
с
другом
на
подложке
увеличивается
.
При
этом
образуются
атомные
группы
,
более
устойчивые
к
повторному
испарению
,
так
как
кинетическая
энергия
адсорбированных
атомов
частично
переходит
в
потенциальную
энер
-
гию
их
взаимодействия
.
Такая
группа
может
стать
зародышем
пленки
,
если
ее
размер
превышает
некоторый
критический
,
при
котором
вероятность
конден
-
сации
(
окончательного
закрепления
на
подложке
)
превышает
вероятность
рас
-
пада
группы
на
отдельные
атомы
.
Схематически
этот
процесс
показан
на
рис
. 4.3.
Дальнейший
рост
зародышей
происходит
за
счет
присоединения
к
ним
вновь
адсорбированных
атомов
,
а
также
за
счет
непосредственного
осаждения
атомов
на
поверхность
зародыша
.
Разрастаясь
,
отдельные
островки
-
зародыши
сливаются
,
постепенно
образуя
сплошную
пленку
.
На
завершающем
этапе
,
ко
-
гда
сформирована
сплошная
пленка
,
ее
рост
носит
гомогенный
характер
.
Влия
-
Рис.
4.3. Схема процесса начального образования пленки на подложке:
а) при низкой плотности потока атомов; б) при высокой плотности потока
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »
