ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
79
ние
подложки
при
этом
отсутствует
,
а
характер
связи
(
металлическая
,
кова
-
лентная
)
падающих
на
поверхность
атомов
определяется
веществом
пленки
.
Таким
образом
,
структура
полученной
пленки
определяется
размерами
зародышей
,
образовавшихся
на
начальном
этапе
конденсации
.
При
высоких
температурах
подложки
размеры
критических
зародышей
больше
и
пленка
по
-
лучается
крупнозернистой
.
При
низких
температурах
подложки
пленка
получа
-
ется
мелкозернистой
.
На
структуру
пленки
также
влияет
и
плотность
потока
атомов
.
При
увеличении
плотности
потока
размеры
критических
зародышей
уменьшаются
,
количество
центров
зародышеобразования
увеличивается
,
в
ре
-
зультате
пленка
получается
мелкозернистой
.
Уменьшение
плотности
потока
приводит
к
увеличению
зернистости
пленки
.
При
фиксированной
плотности
потока
существует
критическая
температура
подложки
,
выше
которой
пленка
на
поверхности
подложки
не
образуется
.
И
,
наоборот
,
при
фиксированной
тем
-
пературе
подложки
существует
критическая
плотность
потока
атомов
,
ниже
ко
-
торой
пленка
не
образуется
.
Какая
из
структур
(
крупнозернистая
или
мелкозернистая
)
луч
-
ше
−
определяется
конкретным
назначением
пленки
.
Если
,
например
,
она
пред
-
назначена
для
формирования
пленочных
резисторов
,
то
лучше
крупнозернистая
структура
,
поскольку
она
более
стабильна
при
колебаниях
температуры
в
про
-
цессе
эксплуатации
данных
резисторов
.
Мелкозернистая
структура
при
повы
-
шенных
температурах
эксплуатации
резисторов
подвержена
влиянию
процес
-
сов
рекристаллизации
,
приводящих
к
изменению
электрофизических
свойств
пленки
.
Если
,
например
,
требуется
получить
высококачественные
зеркала
,
то
в
этом
случае
желательно
формировать
мелкозернистую
пленку
.
4.2. Ионно-плазменные методы получения тонких пленок
Ионно
-
плазменные
методы
получили
широкое
распространение
в
техно
-
логии
электронных
средств
благодаря
своей
универсальности
и
ряду
преиму
-
ществ
по
сравнению
с
другими
технологическими
методами
.
Универсальность
определяется
тем
,
что
с
их
помощью
можно
осуществлять
различные
техноло
-
гические
операции
:
формировать
тонкие
пленки
на
поверхности
подложки
,
травить
поверхность
подложки
с
целью
создания
на
ней
заданного
рисунка
ин
-
тегральной
микросхемы
,
осуществлять
очистку
поверхности
.
К
преимуществу
ионно
-
плазменных
методов
относится
высокая
управляемость
процессом
;
воз
-
можность
получения
пленок
тугоплавких
материалов
,
а
также
химических
со
-
единений
и
сплавов
заданного
состава
;
лучшая
адгезия
пленок
к
поверхности
и
так
далее
.
Суть
методов
ионно
-
плазменного
напыления
тонких
пленок
заключается
в
обработке
поверхности
мишени
из
нужного
вещества
ионами
и
выбивании
атомов
(
молекул
)
из
мишени
.
Энергия
ионов
при
этом
составляет
величину
по
-
рядка
сотен
и
тысяч
электрон
-
вольт
.
Образующийся
атомный
поток
направля
-
ется
на
подложку
,
где
происходит
конденсация
вещества
и
формируется
плен
-
ка
.
Различают
ионно
-
лучевое
распыление
,
осуществляемое
бомбардировкой
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 77
- 78
- 79
- 80
- 81
- …
- следующая ›
- последняя »
