Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 10 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:









где Х – расстояние между интерференционными полосами; λ – длина вол-

ны света (при работе в белом свете λ принимается равной 550 нм).

Рис. 1.3. Оптическая схема микроинтерферометра (а); образец – кремниевая пластина

с оксидным слоем (б) и поле зрения микроинтерферометра (в)

Данный метод позволяет измерить толщину оксидного слоя до

3·10

нм. Погрешность измерения не превышает 30 нм. Метод можно зна-

чительно улучшить, если в качестве источника света использовать лазер,

дающий высокую монохроматичность и малую расходимость лазерного

луча.

1.3. Оптическая эллипсометрия

Эллипсометрические методы обладают высокой чувствительностью

к наличию на поверхности объекта очень тонких пленок, а также к измене-

нию микрогеометрии, структуры и оптических свойств поверхности. Эл-

липсометрические методы используются для решения следующих задач:

- контроль фотолитографических и электрохимических процессов;

- исследование электрофизических свойств полупроводников;

- контроль поверхностных слоев объектов, подвергнутых ионной об-

работке

или травлению;

- измерение толщины и показателя преломления диэлектрических

пленок и эпитаксиальных слоев, сформированных на поверхности пластин;

- исследование явлений, происходящих на поверхности пластин при

диффузии, термообработке и т. д.

Как известно, при распространении плоской электромагнитной вол-

ны в идеальной диэлектрической среде напряженность электрического по-