Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 9 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Другой метод интерференционного контраста реализован в микроин-

терферометре Майкельсона (рис. 1.3, а). Пучок параллельных лучей, фор-

мируемых конденсорной линзой, падает на полупрозрачное зеркало. Каж-

дый из лучей в точке А расщепляется на два луча, при этом один падает на

опорное зеркало, другой – на поверхность образца. После отражения оба

луча встречаются

в точке А и интерферируют. В плоскости изображения

формируется интерференционная картина, представляющая собой систему

параллельных светлых и темных полос, что обусловлено слабой расходи-

мостью светового пучка. Чем меньше расходимость лучей в пучке, тем

больше расстояние между полосами. Необходимо также учесть, что луч,

отраженный от опорного зеркала, проходит полупрозрачное зеркало триж-

ды

, а луч, отраженный от объекта – только один раз. Поэтому, если по ка-

ким-то причинам (например, при изменении температуры) показатель пре-

ломления полупрозрачного зеркала изменится, то это вызовет изменения в

интерференционной картине. Чтобы скомпенсировать влияние этого фак-

тора, на пути второго луча ставится компенсационная пластина, имеющая

те же геометрические и

оптические параметры, что и полупрозрачное зеркало.

Если поверхность объекта не является совершенно гладкой, напри-

мер, имеется неровность в виде ступеньки оксидного слоя на поверхности

кремниевой пластины (рис. 1.3, б), то интерференционные полосы в месте

расположения ступеньки претерпевают излом (рис. 1.3, в). Толщина слоя

SiO

пропорциональна величине излома ∆Х:

Рис. 1.2. Схема интерферометра Номарски